
- 74LV164D - 8位串行输入/并行输出移位寄存器
- PDTB113EU - 500 mA、50 V PNP配电阻晶体管
- IP4252CZ8-4-TTL - 集成式4、6和8通道无源滤波器网络,带ESD保护
- 74HCT173D - 四频D型触发器;正沿触发器(三态)
- PESD12VS1UB - 采用SOD523封装的ESD保护二极管
- BFU725F - NPN宽带硅锗RF晶体管
- BLF6G38S-25 - WiMAX功率LDMOS晶体管
- NPIC6C596 - 功率逻辑8位移位寄存器;开漏输出
- HT2ICS2002W - HITAG 2应答器IC
- 74HC4351D - 8通道模拟多路复用器/解复用器,具有锁存器
- BUK9535-100A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
- BZT52H-B75 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
- 74HC85PW - 4位量值比较器
- PDTA144VM - PNP配电阻晶体管;R1 = 47 kOhm,R2 = 10 kOhm
- PCA9633PW - 4位Fm+ I2C总线LED驱动器
- BAV102 - 单个通用开关二极管
- PSMN016-100PS - N沟道100 V 16 m?标准电平MOSFET,采用TO-220封装
- PCF8566 - 低复用率通用LCD驱动器
- 74CBTLVD3384BQ - 10位电平转换总线开关,具有5位输出使能
- SC16C654BIB64 - 5 V、3.3 V和2.5 V的四通道UART,5 Mbit/s(最快),带有64字节FIFO以及红外(IrDA)编码器/解码器
- HEF4011B - 四路2输入与非门
- BZX384-C6V2 - 稳压器二极管
- PESD5V0V4UK - 极低电容单向四倍ESD保护二极管阵列
- PZU33BA - 单倍齐纳二极管
- 74AUP2G241 - 低功耗双路缓冲器/线路驱动器;3态
- TEF6862HL - 汽车无线电增强选择性调谐器(CREST)
- NX3DV42GM - 双高速USB 2.0双刀双掷模拟开关
- BUK9240-100A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
- NVT2001GM - 适用于开漏和推挽应用的双向电压电平变换器
- BZX84J-C30 - 单倍齐纳二极管
- PMSTA42 - NPN高压晶体管
- 74LVC161 - 可预置同步4位二进制计数器;异步复位
- 74HCT11D - 三路3输入与门
- BLF7G22LS-130 - 功率LDMOS晶体管
- 74LVC2G08GD - 双路2输入与门
- BZV49-C11 - 稳压器二极管
- SCC2681AE1A44 - 双通道异步接收器/发送器(DUART)
- PTVS24VS1UR - 400 W瞬态电压抑制器
- BUK663R5-55C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
- BSS84AKM - 50 V,230 mA P沟道Trench MOSFET
- PEMD13 - NPN/PNP配电阻晶体管;R1 = 4.7 kΩ,R2 = 47 kΩ
- PEMD15; PUMD15 - NPN/PNP配电阻晶体管;R1 = 4.7 kΩ,R2 = 4.7 kΩ
- PMBFJ108 - N沟道FET
- CBTL04082A; CBTL04082B - 支持PCI Express Gen2的3.3 V、4差分通道、2 : 1多路复用器/解复用器开关
- PCA9545CPW - 4-channel I2C-bus switch with interrupt logic and reset
- P5CC040 - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
- 74HC(T)221 - 双非可再触发单稳态多谐振荡器,带重置
- 74LVC3G06GN - 三路反相器,带开漏输出
- 1PS66SB82 - 15 V、30 mA低Cd肖特基势垒二极管
- NVT2010PW - 适用于开漏和推挽应用的双向电压电平变换器
- PESD5V0F1BL - 毫微微法拉级(Femtofarad)双向ESD保护二极管
- A7101CGT1 - 安全验证微控制器
- BZX84-A15 - 稳压器二极管
- PHPT61002PYC - 100 V、2A PNP高功率双极性晶体管
- CBTD16210DGG - 20位电平转换总线开关,具有10位输出使能
- TDA8566 - 具有差分输入和诊断输出的2 x 40 W/2 ohm立体声BTL汽车收音机功率放大器
- 74AUP1Z04GS - 低功耗晶体驱动器,带使能和内部晶体管
- MF3MODH8101DA4 - MIFARE DESFire EV1非接触式多用途芯片
- BZX84-C11 - 稳压器二极管
- PSMN3R0-30YLD - N沟道30 V,3.0 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56封装,使用NextPowerS3技术
- BAW101S - 两个高压二极管
- BLU6H0410L(S)-600P - 功率LDMOS晶体管
- 74LVC2G14GS - 双路反相施密特触发器,带5 V容压输入
- 74AUP2G240GS - 低功耗双路反相缓冲器/线路驱动器;3态
- BZX84-C3V0 - 稳压器二极管
- SAF3560 - 地面数字无线电处理器
- 74HCT2G04GW - 双路反相器
- PSMN5R8-40YS - N沟道LFPAK 40 V 5.7 m?标准电平MOSFET
- BZB84-B68 - 双倍齐纳二极管
- PHDMI2F4 - 用于超高速接口的ESD保护


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