CBTD16210提供20位高速TTL兼容总线开关。该开关的低通态电阻允许在传播延迟最小的情况进行连接。

该电路中集成了连接到VCC的二极管，可实现5 V输入和3.3 V输出之间的电平转换。

该器件采用带单独输出使能(OE)输入的双路10位总线开关结构。该器件可用作两个10位总线开关或一个20位总线开关。OE为低电平时，相关的10位总线开关处于开启状态且端口A连接到端口B。OE为高电平时，开关处于开启状态且端口间存在高阻抗状态。

CBTD16210的特点是工作温度范围为-40 °C至+85 °C。

• 两个端口之间的5 Ω开关连接
• TTL兼容控制输入电平
• 设计用于5.5 V至3.3 V的电平转换应用
• 封装选择包括紧缩小型(SSOP)和减薄紧缩小型(TSSOP)

• 74AXP2G17GN - Low-power dual Schmitt trigger
• PDTA143XT - PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 10 kΩ
• BUK9Y19-55B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• P60D144PX30 - 安全高性能双接口智能卡控制器
• PSMN2R8-40BS - N沟道40 V 2.9 m?标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
• PBRN113ZT - NPN 800 mA，40 V BISS RETs；R1 = 1 kOhm，R2 = 10 kOhm
• 74AHCT86BQ - 四路2输入异或门
• PMP5201G - PNP/PNP匹配双晶体管
• BZX384-B22 - 稳压器二极管
• 74AHCT1G04GM - Inverter