CBTD16210提供20位高速TTL兼容总线开关。该开关的低通态电阻允许在传播延迟最小的情况进行连接。

该电路中集成了连接到VCC的二极管，可实现5 V输入和3.3 V输出之间的电平转换。

该器件采用带单独输出使能(OE)输入的双路10位总线开关结构。该器件可用作两个10位总线开关或一个20位总线开关。OE为低电平时，相关的10位总线开关处于开启状态且端口A连接到端口B。OE为高电平时，开关处于开启状态且端口间存在高阻抗状态。

CBTD16210的特点是工作温度范围为-40 °C至+85 °C。

• 两个端口之间的5 Ω开关连接
• TTL兼容控制输入电平
• 设计用于5.5 V至3.3 V的电平转换应用
• 封装选择包括紧缩小型(SSOP)和减薄紧缩小型(TSSOP)

• 74AVC16834ADGG - 18位寄存驱动器，具有倒相寄存器使能和Dynamic Controlled Outputs(TM)（3态）
• PUMD48 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kΩ，R2 = 47 kΩ和R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ
• BUK7513-75B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 1PS70SB45 - 通用肖特基二极管
• PDTA115EMB - PNP配电阻晶体管；R1 = 100 kΩ，R2 = 100 kΩ
• PHD97NQ03LT - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PZU22B3 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PCA2003U - 带有可编程自适应电机脉冲和脉冲周期的32 kHz表电路
• BFS19 - NPN中频晶体管
• 74ABT245PW - 八进制收发器，具有方向针脚（3态）