74AUP2G240提供带3态输出的双路非反相缓冲器/线路驱动器。3态输出通过输出使能输入(nOE)控制。针脚nOE处的高电平使输出呈高阻抗关断状态。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

该器件具有输入禁用功能，它允许浮动输入信号。输出使能输入nOE为高电平时，输入处于禁用状态。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪音过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• 输入禁用特性允许浮空输入条件
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• 74AVCM162835DGG - 18位寄存驱动器，具有15 ?端接电阻（3态）
• PTVS9V0P1UP - 600 W瞬态电压抑制器
• PSMN7R0-100PS - N沟道100 V 6.8 m?标准电平MOSFET，采用TO220封装。
• 74HC(T)10 - 三路3输入与非门
• PCF85263ATT - Tiny Real-Time Clock/calendar with alarm function, battery switch-over, time stamp input, and I2C-bus
• 74AUP1G16 - Low-power buffer
• 74LVC3G16DC - Triple buffer
• BUK714R1-40BT - N沟道TrenchPLUS标准电平FET
• BUK7E2R3-40C - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74CBTLV3244 - 8位总线开关，具有4位输出使能