逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，采用LFPAK56封装。NextPowerS3产品组合利用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技术，提供高频率低峰值性能，通常只有集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET才具有这种性能，并且没有令人烦恼的高漏电流问题。NextPowerS3特别适合于高开关频率下的高效应用。

• 超低QG、QGD和QOSS，可实现系统高效率，尤其是在开关频率较高时
• 带软恢复功能的超快速开关性能；s-factor > 1
• 针对低EMI设计的低峰值和振铃
• 特有的“SchottkyPlus”技术；类肖特基性能：漏电流<1?μA（25?°C时）
• 最适合4.5 V栅极驱动
• 低寄生电感和电阻
• 高可靠性夹片粘合和芯片焊接Power SO8封装；无胶合、无焊线，额定工作温度为175?°C
• 波焊；外露引脚，可实现最佳焊点目测

• 适合服务器和电信的板载DC-DC解决方案
• 电信应用中的次级侧同步整流
• 电压调节器模块(VRM)
• 负载点(POL)模块
• 针对V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的功率输出
• 有刷与无刷马达控制

• BAS19; BAS20; BAS21 - 通用二极管
• PMV30UN2 - 20 V，N沟道Trench MOSFET
• PEMB16 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 22 kOhm，R2 = 47 kOhm
• PZU11B3A - 单倍齐纳二极管
• 74LVTH125DB - 3.3 V四路缓冲器；3态
• TDA3663 - 具有极低压降/静态电流的3.3 V稳压器
• CBT3861 - 10位总线开关，具有输出使能
• PDTA144EU - PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kΩ，R2 = 47 kΩ
• BAT854SW - 双倍肖特基势垒二极管
• BZX884-B4V3 - 稳压器二极管