NPIC6C596是带存储寄存器和开漏输出的8位串行输入/串行或并行输出移位寄存器。移位寄存器和存储寄存器都具有单独的时钟。该器件具有串行输入（DS）和串行输出（Q7S），可实现级联和异步复位（MR）输入。MR上的低电平可复位移位寄存器和存储寄存器。数据通过SHCP输入的从低到高转换实现移位。移位寄存器的数据通过STCP输入从低到高转换转移到存储寄存器。如果将两种时钟连接在一起，则移位寄存器始终领先存储寄存器一个时钟脉冲。为在级联应用中提供额外保持时间，串行输出QS7在SHCP的负沿进行时钟输出。每当输出使能输入（OE）为低电平时，存储寄存器内的数据就可驱动输出延伸漏极NMOS (EDNMOS)晶体管。OE上的高电平会使输出进入高阻抗关断状态。OE输入的操作不会影响寄存器的状态。

开漏输出为33 V/100 mA持续电流扩展漏极NMOS晶体管，后者设计用于LED等要求中等负载功率的系统。输出中的集成式电压箝位提供针对电感瞬变的保护，因此使该器件非常适用于继电器、螺线管和其他低电流或中等电压负载等功率驱动器应用。

• 指定温度范围为-40 °C至+125 °C
• 低RDSon
• 八个功率EDNMOS晶体管输出100 mA连续电流
• 250 mA限流能力
• 输出箝位电压33 V
• 30 mJ雪崩能量能力
• 增强型多级级联
• 所有寄存器通过单个输入清零
• 低功耗
• ESD保护：
  • HBM JDS-001 2类超过2500 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V

• LED标志
• 图形状态面板
• 故障状态指示器

• PCA8553DTT - Automotive 40 × 4 LCD segment driver
• PMEG2020EH; PMEG2020EJ - 20 V、2 A极低V_F MEGA肖特基势垒整流二极管
• 74LVC373A - 八进制D型透明锁存器，具有5 V容压输入/输出；3态
• 74LVC1G386 - 3输入异或门
• BUK9K35-60E - 双N沟道60 V，35 mΩ逻辑电平MOSFET
• PUSBM5V5X4-TL - 高速USB OTG ESD保护二极管阵列
• SC16IS752IPW - 带有I2C总线/SPI接口、64字节发送和接收FIFO以及IrDA SIR内置式支持的双通道UART
• 74LVT14D - 3.3 V十六进制反相器施密特触发器
• 74LVC3GU04DC - 三路反相器
• PMEG3020ER - 2 A低VF MEGA肖特基势垒整流二极管