NPIC6C596是带存储寄存器和开漏输出的8位串行输入/串行或并行输出移位寄存器。移位寄存器和存储寄存器都具有单独的时钟。该器件具有串行输入（DS）和串行输出（Q7S），可实现级联和异步复位（MR）输入。MR上的低电平可复位移位寄存器和存储寄存器。数据通过SHCP输入的从低到高转换实现移位。移位寄存器的数据通过STCP输入从低到高转换转移到存储寄存器。如果将两种时钟连接在一起，则移位寄存器始终领先存储寄存器一个时钟脉冲。为在级联应用中提供额外保持时间，串行输出QS7在SHCP的负沿进行时钟输出。每当输出使能输入（OE）为低电平时，存储寄存器内的数据就可驱动输出延伸漏极NMOS (EDNMOS)晶体管。OE上的高电平会使输出进入高阻抗关断状态。OE输入的操作不会影响寄存器的状态。

开漏输出为33 V/100 mA持续电流扩展漏极NMOS晶体管，后者设计用于LED等要求中等负载功率的系统。输出中的集成式电压箝位提供针对电感瞬变的保护，因此使该器件非常适用于继电器、螺线管和其他低电流或中等电压负载等功率驱动器应用。

• 指定温度范围为-40 °C至+125 °C
• 低RDSon
• 八个功率EDNMOS晶体管输出100 mA连续电流
• 250 mA限流能力
• 输出箝位电压33 V
• 30 mJ雪崩能量能力
• 增强型多级级联
• 所有寄存器通过单个输入清零
• 低功耗
• ESD保护：
  • HBM JDS-001 2类超过2500 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V

• LED标志
• 图形状态面板
• 故障状态指示器

• PZU4.3DB2 - 双倍齐纳二极管
• BC51-16PAS - 45 V/60 V/80 V, 1 A PNP medium power transistors
• PESD3V3X1BL - 超低电容双向ESD保护二极管
• SSL2103T - 可调光LED控制器IC
• IP4283CZ10-TBR - 用于超高速接口的ESD保护
• BUK9E06-55A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74ABT162244DL - 16位缓冲器/线路驱动器，具有30 Ω串联端接电阻；3态
• 74HCT4538PW - 双可再触发精密单稳态多谐振荡器
• PESD5V0S4UF - 单向四倍ESD保护二极管阵列
• 74AHCT2G125GD - 双路缓冲器/线路驱动器；3态