74HC/1是高速硅栅CMOS器件并且与低功耗肖特基TTL（LSTTL）引脚兼容。它们符合JEDEC标准No. 7A。

74HC/HCT173是带时钟使能控制、三态缓冲输出（Q0至Q3）和主复位（MR）的4位并行加载寄存器。

两个数据使能输入（E1和E2）为低电平时，随着时钟（CP）从低到高转换，Dn输入上的数据会被同步加载入寄存器。如果在时钟从低到高转换前的某个建立时间，一个或两个En输入都为高电平，则该寄存器会保留之前的数据。数据输入和时钟使能输入为完全边沿触发，在从低到高转换前的某个建立时间，必须保持稳定。

主复位输入（MR）是有源高电平异步输入。MR为高电平时，所有四个触发器会被复位（清零），不受任何其他输入条件的影响。

三态输出缓冲器由一个2输入或非门控制。输出使能输入（OE1和OE2）都为低电平时，寄存器内的数据会被提供给Qn 输出。一个或两个OEn输入为高电平时，输出会被强制进入高阻抗关断状态。三态输出缓冲器完全不受寄存器操作的影响；OEn转换不会影响时钟和复位操作。

• 保持（不执行任何操作）模式的门控输入使能
• 门控输出使能控制
• 边沿触发D类寄存器
• 异步主复位
• 输出能力：总线驱动器
• ICC类别：MSI

• 高速光盘或磁带控制器
• 通信缓冲器。

• BZX384-B68 - 稳压器二极管
• 2N7002BKM - 60 V，450 mA N沟道Trench MOSFET
• PESD5V0L5UF - 低电容单向五倍ESD保护二极管阵列
• 74AHCT2G32DP - 双路2输入或门
• 74AUP1G386GW - 低功耗3输入异或门
• TEF6644HW - 高效的低中频无线电单芯片
• HEF4021B - 8位静态移位寄存器
• PHPT61006NY - 100 V、6A NPN高功率双极性晶体管
• 1PS66SB82 - 15 V、30 mA低Cd肖特基势垒二极管
• TDZ13J - 单倍齐纳二极管