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NVT2001GM - 适用于开漏和推挽应用的双向电压电平变换器
NVT2001GM是NXP恩智浦公司的一款I²C电压转换器产品,NVT2001GM是适用于开漏和推挽应用的双向电压电平变换器,本站介绍了NVT2001GM的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与NVT2001GM相关的NXP元器件型号供参考。
NVT2001GM - 适用于开漏和推挽应用的双向电压电平变换器 - I²C电压转换器 - I²C - 恩智浦
NVT2001/02是双向电压电平变换器,工作范围为1.0 V至3.6 V (Vref(A))和1.8 V至5.5 V (Vref(B)),允许在开漏或推挽应用中进行1.0 V和5 V之间的双向电压变换而无需方向引脚。对于具有50 pF电容和197 ?上拉的开漏系统,为传输速度< 33 MHz的电平变换应用提供1位或2位的位宽。
当An或Bn端口为低电平时,钳位处于通态且An和Bn端口之间存在低电阻连接。开关的低通态电阻(Ron)允许以最小传输延迟建立连接。假设Bn端口上为更高的电压,当Bn端口为高电平时,An端口上的电压限制为通过VREFA设置的电压。当An端口为高电平时,上拉电阻会将Bn端口上拉至漏极上拉供电电压(Vpu(D))。此功能允许在用户选择的更高和更低电压之间进行无缝变换,而无需方向控制。
当EN为高电平时,变换器开关打开,且An I/O分别连接至Bn I/O,允许端口之间的双向数据流动。当EN为低电平时,变换器开关关闭,且端口之间存在高阻抗状态。EN输入电路是由Vref(B)供电。为确保上电或掉电时的高阻抗状态,EN必须为低电平。
所有通道具有相同的电特性,输出间的电压或传输延迟具有最小的偏差。由于开关是对称制造的,所以这有利于分离式晶体管电压变换解决方案。变换器为低电压器件提供极佳的ESD保护并同时保护低ESD抗性器件。
- 提供双向电压变换,无方向引脚
- 低于1.5 ns的最大传输延迟
- 允许以下电压之间的电压电平变换:
- 1.0 V Vref(A)和1.8 V、2.5 V、3.3 V或5 V Vref(B)
- 1.2 V Vref(A)和1.8 V、2.5 V、3.3 V或5 V Vref(B)
- 1.8 V Vref(A)和3.3 V或5 V Vref(B)
- 2.5 V Vref(A)和5 V Vref(B)
- 3.3 V Vref(A)和5 V Vref(B)
- 输入和输出端口之间的低3.5 ?导通状态连接提供更少的信号失真
- I/O端口具有5 V耐受,支持混合模式信号操作
- EN = 低电平时,An和Bn引脚为高阻抗
- 无锁定操作
- 直通引出线便于印刷电路板走线排布
- ESD保护:按JESD22-A114超过4 kV HBM,按JESD22-C101超过1000 V CDM
- 74LVC823APW - 带5 V容压输入/输出的9位D型触发器;正沿触发器(三态)
- PMEG2010AET - 1 A极低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
- BGS8M2 - SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE
- TDA18267HB - 有线电视全频谱收发器
- 74LVC245ADB - 八进制总线收发器;3态
- 74AHC132BQ - 四路2输入与非施密特触发器
- PBRP123YT - PNP 800 mA,40 V BISS RETs;R1 = 2.2 kOhm,R2 = 10 kOhm
- PZU3.3B2A - 单倍齐纳二极管
- PEMD4 - NPN/PNP配电阻晶体管;R1 = 10 kOhm,R2 = 开路
- PSMN4R3-100ES - N沟道100 V 4.3 mΩ标准电平MOSFET,采用I2PAK封装



