74LVC2G08提供一个2输入与门功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将74LVC2G08用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BAT54W series - 肖特基势垒二极管
• BUK9606-55A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• BCP52-10 - 60 V，1 A PNP中等功率晶体管
• PCF8883T - 电容式接近开关，具有自动校准、宽工作电压范围和极低功耗
• PCA9534BS3 - 带有中断的8位I2C总线和SMBus低功率I/O端口
• KMA221 - 可编程角度传感器
• BUK7909-75ATE - N沟道TrenchPLUS标准电平FET
• PSMN4R2-30MLD - N沟道30 V，4.2 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK33封装，使用NextPowerS3技术
• 74LVC2G86DC - 双路2输入异或门
• PZU36BL - 单倍齐纳二极管