74LVC2G08提供一个2输入与门功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将74LVC2G08用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PMXB65ENE - 30 V，N沟道Trench MOSFET
• PDTA123TM - PNP配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 开路
• PSMN3R5-80ES - N沟道80 V，3.5 m?标准电平MOSFET，采用I2PAK封装
• 74HCT1G14GW - 反相施密特触发器
• TDZ16J - 单倍齐纳二极管
• BSH111BK - 55 V, N-channel Trench MOSFET
• 74AHC573PW - 八进制D型透明锁存器；3态
• PTVS24VS1UR - 400 W瞬态电压抑制器
• PZU22B3 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• BLS6G3135S-20 - LDMOS S波段雷达功率晶体管