NX3DV42是双刀双掷模拟开关，适合用作模拟或数字多路复用器/解复用器。NX3DV42的宽带宽和低位间偏斜使其传输的高速差分信号具有良好的信号完整性。其高通道间串扰抑制可使噪声干扰最小。频带宽度足以传输高速USB 2.0差分信号(480 Mb/s)。其由两个开关组成，每个开关都具有两个独立的输入/输出（HSDn+和HSDn-）和一个公共输入/输出（D+或D-）。一个数字输入用来选择开关位置。针脚OE为高电平时，开关关闭。选择输入(S)和使能输入(OE)处的施密特触发器动作使电路容许整个3.0 V至4.3 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

• 3.0 V至4.3 V的电源电压范围
• 4 Ω典型导通电阻
• 7.3 pF典型导通电容
• 950 MHz典型带宽或数据频率
• 240 MHz时-30 dB的低串扰
• 先断后通式开关
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过4000 V
  • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
  • HBM超过12000 V，实现电源接地保护
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类A级标准
• 额定温度范围为-40 °C至+125 °C

• 手机、PDA、数码相机和笔记本
• 液晶显示器、电视和机顶盒

• 74HCT1G32GW - 2输入或门
• BZX84J-C3V3 - 单倍齐纳二极管
• BLL6H1214L-250 - LDMOS L波段雷达功率晶体管
• BC856B - PNP通用晶体管
• BGU7063 - 模拟控制高线性度低噪声可变增益放大器
• PSMN3R3-60PL - N沟道60 V，3.4 m?逻辑电平MOSFET，采用SOT78封装
• PESD3V3S4UF; PESD5V0S4UF - 单向四倍ESD保护二极管阵列
• 74ABT08 - 四路2输入与门
• BZV55-C3V6 - 稳压器二极管
• BUK6607-75C - N沟道TrenchMOS FET