74AUP1Z04结合了74AUP1GU04和74AUP1G04的功能以及使能电路和内部偏置电阻，提供最适合晶体振荡器应用的器件。

不使用时，可将EN输入驱动为高电平，从而将该器件置于低功耗禁用模式，其中X1通过RPU拉至高电平、X2设置为低电平、Y设置为高电平。EN输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC 范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全针对在输出Y处使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

74AUP1Z04因集成了这两个器件而在各种频率和温度范围内形成尺寸紧凑、功耗低和操作稳定的优势。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路在输出Y处提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• NZH27C - 单倍齐纳二极管
• 74HC4351D - 8通道模拟多路复用器/解复用器，具有锁存器
• BAS70 - 通用肖特基二极管
• 74VHCT125D - 四路缓冲器/线路驱动器；3态
• PCA9629APW - Fm+ I2C-bus advanced stepper motor controller
• 74ALVCH16646DGG - 16位收发器/寄存器（三态）
• BUK764R2-80E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PMZB320UPE - 30 V, P-channel Trench MOSFET
• MF1S7030XDA8 - MIFARE Classic 4K - 适用于快速简单的解决方案开发的主流非接触式智能卡IC
• PDTC115TMB - NPN配电阻晶体管；R1 = 100 kΩ，R2 = 开路