74AUP2G241提供带3态输出的双路非反相缓冲器/线路驱动器。3态输出通过输出使能输入1OE和2OE控制。针脚1OE处的高电平使输出1Y呈高阻抗关断状态。针脚2OE处的低电平使输出2Y呈高阻抗关断状态。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

该器件具有输入禁用功能，它允许浮动输入信号。输出使能输入OE为高电平时，输入1A处于禁用状态。输出使能输入2OE为高电平时，输入2A处于禁用状态。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• 输入禁用特性允许浮空输入条件
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• 74LVC1G14GN - 单路施密特触发器反相器
• BLF7G22L(S)-130 - 功率LDMOS晶体管
• NTAG203F - NFC Forum类型2标签兼容型IC，集成144字节用户存储器和现场检测
• SC16C550BIBS - 5 V、3.3 V和2.5 V的UART，带有16字节FIFO
• BLF888AS - UHF功率LDMOS晶体管
• 74HCT08DB - 四路2输入与门
• MIFARE Plus SE 1K - Secure contactless smart card IC for seamless migration
• PMEG6010ELR - 60 V、2 A低漏电流肖特基势垒整流二极管
• BUK7575-55A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PBSS5220PAPS - 20V, 2 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) double transistor