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PESD5V0F1BL产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MC9S12DG128VPVE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- 74LVC241ADB,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
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- MK20DN512ZVLL10 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MPC8308ZQADDA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- BZX79-C30,143 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管



PESD5V0F1BL - 毫微微法拉级(Femtofarad)双向ESD保护二极管
PESD5V0F1BL是NXP恩智浦公司的一款超低电容ESD保护设备(< 2 pF)产品,PESD5V0F1BL是毫微微法拉级(Femtofarad)双向ESD保护二极管,本站介绍了PESD5V0F1BL的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PESD5V0F1BL相关的NXP元器件型号供参考。
PESD5V0F1BL - 毫微微法拉级(Femtofarad)双向ESD保护二极管 - 超低电容ESD保护设备(< 2 pF) - 通用ESD保护设备 - 恩智浦
产品描述
毫微微法拉级(Femtofarad)双向静电放电(ESD)保护二极管采用超小型无引脚SOD882表面贴装设备(SMD)塑料封装,保护单条信号线免受ESD和其他瞬态电压导致的损坏。该器件结合极低电容、高ESD最大额定值和超小型封装等特性,适用于高速数据线的保护以及天线保护应用。
产品特性和优势
- 单条线路的双向ESD保护
- 毫微微法拉级(femtofarad)电容:Cd = 400 fF
- 低ESD钳位电压:30 V(30 ns、± 8 kV)
- 极低漏电流:IRM< 1 nA
- 高达10 kV的ESD保护
- IEC 61000-4-2四级(ESD)
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- 10/100/1000 Mbit/s以太网
- 便携式电子设备
- FireWire
- 通信系统
- 高速数据线
- 计算机和外设
- 用户身份识别模块(SIM)卡保护
- 音频和视频设备
- 手机和附件
- 天线保护
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