74CBTLVD3384是双路5刀单掷总线开关。 该器件具有两个输出使能输入(nOE)，每一个控制五个开关通道。相关nOE输入为高电平时，开关处于禁用状态。控制输入处的施密特触发器动作使该电路能容许较慢的输入上升和下降时间。该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 3.0 V至3.6 V的电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-B/JESD36（3.0 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
• 两个端口之间的5 Ω开关连接
• 600 MHz时-3 dB的带宽
• 数据I/O端口上的轨到轨切换
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA，符合JESD78B I类A级标准
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AUP1G02GX - 低功耗2输入或非门
• 74AHCT1G17GV - 单频施密特触发缓冲器
• PESD5V0S4UD - 采用SOT457封装的四倍ESD保护二极管阵列
• 74HC7540D - 八进制施密特触发缓冲器/线路驱动器；3态；反相
• 74HCT109PW - 带设置和复位功能的双频JK触发器；正沿触发器
• 74AUP1T34 - 低功耗双电源转换缓冲器
• PESD5V0X1BQ; PESD5V0X1BT - 超低电容双向ESD保护二极管
• 74LVC2G02 - 双路2输入或非门
• NT2H1611G0DUD - NFC Forum类型2标签兼容型IC，集成888字节用户存储器
• 74LVC3G17GN - 三路非反相施密特触发器，带5 V容压输入