NXP(恩智浦)产品型号搜索：
- BAS40-07 - 通用肖特基二极管
- BGA3022 - 1.2 GHz 18 dB gain CATV amplifier
- BSS84AKS - 50 V，160 mA双P沟道Trench MOSFET
- 74AXP1G58GS - 低功耗可配置多功能门
- NVT2006BS - 适用于开漏和推挽应用的双向电压电平变换器
- DFN1010D_3_SERIES - 集电极 - 发射极电压VCEO = 30 V和60 V；集电极电流IC = 1 A和2 A。占用更小体积而实现的SOT23性能。
- PDTA144TT - PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 开路
- NZH6V8B - 单倍齐纳二极管
- 74VHC541D - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
- TDA8037TT - Low power 3V smart card interface
- BCV49 - NPN达林顿晶体管
- PESD5V0U2BM - 超低电容双向双ESD保护阵列
- BUK625R2-30C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
- PHKD6N02LT - 双N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
- PCA9554ATS - 带有中断的8位I2C总线和SMBus I/O端口
- PZU16BA - 单倍齐纳二极管
- 74AUP1G34GM - 低功耗缓冲器
- BAP64-02 - 硅PIN二极管
- PMP5501G - PNP/PNP匹配双晶体管
- TFF11080HN - 低相位噪声本振发生器
- HEF4051B - 8通道模拟多路复用器/解复用器
- HEF4046BT - 锁相环
- SL2S2002FUD - ICODE SLIX
- PCA9505DGG - 带有RESET、OE和INT的40位I2C总线I/O端口
- TL431BCDBZR - 可调精度并联稳压器
- BC857QAS - 45 V, 100 mA PNP/PNP general-purpose transistor
- 74VHC126BQ - 四路缓冲器/线路驱动器；3态
- NZX15A - 单倍齐纳二极管
- NX3008NBKS - 30 V，350 mA双N沟道Trench MOSFET
- PDTC143X/123J/143Z/114YQA series - 50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors
- PCA9554BS3 - 带有中断的8位I2C总线和SMBus I/O端口
- NCK2983AHN - 低功耗多通道UHF收发器 - 三个接收器
- TL431 family - 可调精度并联稳压器
- NZX3V6B - 单倍齐纳二极管
- 74ALVC162836ADGG - 20位寄存驱动器，具有倒相寄存器使能和30 Ω端接电阻（3态）
- BCV27; BCV47 - NPN达林顿晶体管
- BLP05H6200XR - Power LDMOS transistor
- 74HCU04BQ - 六位元反相器
- NZX30B - 单倍齐纳二极管
- PDTD1xxxT series - 500 mA, 50 V NPN配电阻晶体管
- 74AHC126BQ - 四路缓冲器/线路驱动器；3态
- PMPB29XPE - 20 V，单P沟道Trench MOSFET
- 74ALVCH16601DGG - 18位通用总线收发器（三态）
- PESD24VL2BT - 采用SOT23封装的低电容双向双ESD保护二极管
- PUSB2X4Y - 用于高速接口的ESD保护
- NZX11A - 单倍齐纳二极管
- PDTC143EQA - 50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors
- 74VHC08BQ - 四路2输入与门
- PESD1CAN - CAN总线ESD保护二极管
- PUMT1 - PNP通用双晶体管
- NZX10C - 单倍齐纳二极管
- PDTC123JQA - 50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors
- 74HCT02BQ - 四路2输入或非门
- PESD3V3U1UT - 采用SOT23封装的超低电容ESD保护二极管
- PMXB120EPE - 30 V，P沟道Trench MOSFET
- NZX12A - 单倍齐纳二极管
- 74HCT08BQ - 四路2输入与门
- 74ALVT16821DGG - 20位总线接口D型触发器；正沿触发器（三态）
- PUMD12 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kΩ，R2 = 47 kΩ
- PDTA123JQA - 50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistors
- PDTD113ZT - NPN 500 mA、50 V配电阻晶体管；R1 = 1 kOhm，R2 = 10 kOhm
- BGU8H1UK - SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for LTE
- 74VHC02BQ - 四路2输入或非门
- PMEG4010EH - 1 A极低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
- PCF8591 - 8位A/D和D/A转换器
- PSMN1R5-40PS - N沟道40 V 1.6 m?标准电平MOSFET，采用TO220封装
- PCA9500PW - 带有2-kbit EEPROM的8位I2C总线和SMBus I/O端口
- 74LVC3G17GT - 三路非反相施密特触发器，带5 V容压输入
- BZX384-C36 - 稳压器二极管
- PBSS5160U - 60 V、1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
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