74ALVT16821高性能双极补充金属氧化半导体（BiCMOS）器件结合了低静态和动态功耗以及高速和高输出驱动能力。它设计用于I/O 兼容性高达5 V、在2.5 V或3.3 V电压下进行VCC操作。

74ALVT16821具有两个10位边沿触发寄存器，每个寄存器都耦合到一个三态输出缓冲器。每个寄存器的两个部分由时钟（nCP）和输出使能（nOE）控制逻辑门独立控制。

每个寄存器为完全边沿触发。在时钟从低到高转换前的某个建立时间，每个D输入的状态会被传输到相应的触发器Q输出。

三态输出缓冲器设计用于驱动重负载三态总线、MOS存储器或MOS微处理器。

有源低电平输出使能（nOE）可控制所有十个不受寄存器操作影响的三态缓冲器。nOE为低电平时，寄存器内的数据会出现在输出处。nOE为高电平时，输出处于高阻抗“关断”状态，这表示这些输出既不能驱动也不能加载总线。

• 20位正沿触发寄存器
• 可兼容5 V I/O
• 多个Vcc引脚和GND引脚可最大程度降低开关噪声
• 总线保持数据输入无需用外部上拉电阻来保持闲置输入
• 允许带电插拔
• 上电复位
• 上电三态
• 输出能力：+64 mA和-32 mA
• 锁存保护：
  • JESD78：超过500 mA
• ESD保护：
  • MIL STD 883, method 3015：超过2000 V
  • 机器模型：超过200 V

• PESD3V3S2UQ - 采用SOT663封装的双ESD保护二极管
• BC849; BC850 - NPN通用晶体管
• 74HC4852D - 双路4通道模拟多路复用器/解复用器，具有注流效应控制功能
• PZU30BA - 单倍齐纳二极管
• 74AUP1G86GM - 低功耗2输入异或门
• JN5161 - RF4CE和IEEE802.15.4无线微控制器，带64 kB闪存，8 kB RAM
• 74HCT1G66GV - 单刀单掷模拟开关
• PTVS15VU1UPA - 300 W瞬态电压抑制器
• 74LVC1G126 - 总线缓冲器/线路驱动器；3态
• P5CD041UA - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器