74ALVCH16601为18位通用收发器，在发送和接收方向上都具有非反相三态总线兼容输出。每个方向上的数据流由输出使能（OEAB和OEBA）、锁存使能（LEAB和LEBA）以及时钟（CPAB和CPBA）输入控制。对于A到B数据流，LEAB为高电平时，该器件会在透明模式下工作。 LEAB为低电平时，如果CPAB被保持在高逻辑电平或低逻辑电平，则数据A会被锁存。如果LEAB为低电平，则总线A数据会在CPAB从低到高转换时存储在锁存器/触发器内。OEAB为低电平时，输出为有源。OEAB为高电平时，输出处于高阻抗状态。时钟可由时钟使能输入（CEBA/CEAB）控制。

B至A的数据流与A至B的相似，但使用的是OEBA、LEBA和CPBA。

为确保上电或掉电期间的高阻抗状态，OEBA和OEAB应当通过上拉电阻保持在VCC ；电阻的最小值由驱动器的灌电流或源电流能力来确定。其提供有源总线保持电路，可将闲置或浮动数据输入保持在有效逻辑电平。

• 符合JEDEC标准no. 8-1A
• CMOS低功耗
• 直接与TTL电平连接
• MULTIBYTE按照标准引脚排列架构
• 用于最大程度减少噪声和接地反弹的多个低电感VCC和GND引脚
• 3.0 V时电流驱动能力为±24 mA
• 所有输入都有总线保持电路
• 输出驱动能力50 Ω（传输线路的温度为85 °C）

• 74LVC373ABQ - 八进制D型透明锁存器，具有5 V容压输入/输出；3态
• PESD5V0U4BW - 超低电容双向四倍ESD保护阵列
• PDTA123TM - PNP配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 开路
• PSMN038-100K - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• BZV90-C18 - 稳压器二极管
• 74CBTLV3257PW - 四路2选1多路复用器/解复用器
• PXT4401 - NPN开关晶体管
• 74HCT1G14GW - 反相施密特触发器
• 74ALVC08 - 四路2输入与门
• DFN2020D_3_SERIES - Single and dual Schottky rectifiers in DFN2020D-3