74ALVCH16601为18位通用收发器，在发送和接收方向上都具有非反相三态总线兼容输出。每个方向上的数据流由输出使能（OEAB和OEBA）、锁存使能（LEAB和LEBA）以及时钟（CPAB和CPBA）输入控制。对于A到B数据流，LEAB为高电平时，该器件会在透明模式下工作。 LEAB为低电平时，如果CPAB被保持在高逻辑电平或低逻辑电平，则数据A会被锁存。如果LEAB为低电平，则总线A数据会在CPAB从低到高转换时存储在锁存器/触发器内。OEAB为低电平时，输出为有源。OEAB为高电平时，输出处于高阻抗状态。时钟可由时钟使能输入（CEBA/CEAB）控制。

B至A的数据流与A至B的相似，但使用的是OEBA、LEBA和CPBA。

为确保上电或掉电期间的高阻抗状态，OEBA和OEAB应当通过上拉电阻保持在VCC ；电阻的最小值由驱动器的灌电流或源电流能力来确定。其提供有源总线保持电路，可将闲置或浮动数据输入保持在有效逻辑电平。

• 符合JEDEC标准no. 8-1A
• CMOS低功耗
• 直接与TTL电平连接
• MULTIBYTE按照标准引脚排列架构
• 用于最大程度减少噪声和接地反弹的多个低电感VCC和GND引脚
• 3.0 V时电流驱动能力为±24 mA
• 所有输入都有总线保持电路
• 输出驱动能力50 Ω（传输线路的温度为85 °C）

• BUK966R5-60E - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PCF8578HT - 适用于点阵图形显示的LCD行/列驱动器
• PSMN059-150Y - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• PDTA144EMB - PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kΩ，R2 = 47 kΩ
• BUK9660-100A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PMPB47XP - 30 V，单P沟道Trench MOSFET
• 74HCT280DB - 9位奇数/偶数奇偶生成器/校验器
• PSMN4R3-30PL - N沟道30 V 4.3 m?逻辑电平MOSFET
• TL431BMFDT - 可调精度并联稳压器
• 74LV123D - 双可再触发单稳态多谐振荡器，带重置