HEF4051B是8通道模拟多路复用器/解复用器，带三个地址输入（S1至S3）、一个低电平有效使能输入(E)、八个独立输入/输出（Y0至Y7）和一个公共输入/输出(Z)。该器件包含八个双向模拟开关，每个开关都有一侧连接到某个独立输入/输出（Y0至Y7），而另一侧则连接到某个公共输入/输出(Z)。E为低电平时，通过S1至S3选择八个开关之一（低阻抗导通状态）。OE为高电平时，无论S1至S3如何，所有开关都处于高阻抗关断状态。如需先断后通，则有必要使用使能输入。

VDD和VSS是适合连接数字控制输入（S1至S3以及E）的电源电压。VDD至VSS的范围为3 V至15 V。模拟输入/输出（Y0至Y7和Z）可在作为正极限的VDD和作为负极限的VEE之间波动。VDD- VEE不得超过15 V。未使用的输入必须连接到VDD、VSS或另一个输入。对于作为数字多路复用器/解复用器的操作，VEE连接到VSS（通常为接地）。VEE和VSS是适合连接开关的电源电压。

HEF4051B在工业（-40°C至+85°C）温度范围和汽车（40 °C至+125 °C）温度范围中都适用。

• 全静态操作
• 5 V、10 V和15 V参数额定值
• 标准化对称输出特性
• 在整个-40 °C至+125 °C的汽车温度范围内工作
• 符合JEDEC标准JESD 13-B

• 模拟多路复用和解复用
• 数字多路复用和解复用
• 信号选通

• PMBT4401 - NPN开关晶体管
• SA58672 - 3.0 W单声道D类音频放大器
• 74AUP3G3404GD - 低功耗双路缓冲器和单路反相器
• BZX384-C2V7 - 稳压器二极管
• BUK7626-100B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PMEG2010EPK - 20 V、1 A低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• 74LVC2G241DC - 双路缓冲器/线路驱动器；3态
• BUK7Y43-60E - N-channel 60 V, 43 mΩ standard level MOSFET in LFPAK56
• BC807-40 - 45 V，500 mA PNP通用晶体管
• BUK7620-55A - N沟道TrenchMOS标准电平FET