74LVC3G17提供三个带施密特触发器输入的非反相缓冲器。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将74LVC3G17用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 适用于高噪声环境的波形和脉冲整形器

• BC846S - NPN通用双晶体管
• DSN0603_2_SERIES - 采用超小型封装的标准电容和超低电容ESD器件
• SL3S1203FUD - UCODE G2iL和G2iL+
• SSL21084AT - 可调光LED驱动器IC
• 74AUP2G38GD - 低功耗双路2输入与非门；开漏
• TJA1029T - LIN 2.2A/SAE J2602 transceiver with TXD dominant timeout
• 74AXP1G10 - 低功耗3输入与非门
• BLF25M612 - 功率LDMOS晶体管
• HEF4043B - 四路R/S锁存器，具有3态输出
• PUMB11 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 10 k?