74AUP1G34提供低功耗、低电压单路缓冲器。

所有输入的施密特触发器动作使电路在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BUK626R2-40C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• 74HC(T)11 - 三路3输入与门
• P60D080PU75 - 安全高性能双接口智能卡控制器
• BUK7Y153-100E - N沟道100 V，153 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• BAS70-07 - 通用肖特基二极管
• PMEG3005EL - 0.5 A极低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• PEMD6 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kOhm，R2 = 开路
• BUK768R1-100E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BAS70-06W - 通用肖特基二极管
• BC857C - PNP通用晶体管