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NXP产品 - DFN1010D_3_SERIES介绍

DFN1010D_3_SERIES - 集电极 - 发射极电压VCEO = 30 V和60 V；集电极电流IC = 1 A和2 A。占用更小体积而实现的SOT23性能。

DFN1010D_3_SERIES是NXP恩智浦公司的一款低压低VCEsat (BISS)晶体管产品，DFN1010D_3_SERIES是集电极 - 发射极电压VCEO = 30 V和60 V；集电极电流IC = 1 A和2 A。占用更小体积而实现的SOT23性能。，本站介绍了DFN1010D_3_SERIES的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与DFN1010D_3_SERIES相关的NXP元器件型号供参考。

DFN1010D_3_SERIES - 集电极 - 发射极电压VCEO = 30 V和60 V；集电极电流IC = 1 A和2 A。占用更小体积而实现的SOT23性能。 - 低压低VCEsat (BISS)晶体管 - 低VCEsat（BISS）晶体管 - 恩智浦

产品描述

低VCEsat突破性小信号(BISS)晶体管，采用无引脚中等功率DFN1010D-3 (SOT1215)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

型号

集电极-发射极电压VCEO

集电极电流IC

直流电流增益hFE，最小值/典型值（IC = 0.5 A；VCE = 2 V时）

直流电流增益hFE，最小值/典型值（IC = 0.5 A；VCE = 2 V时）

PBSS4130QA

30

1

230 / 380

1 A

PBSS5130QA

30

1

180 / 295

1 A

PBSS4230QA

30

2

230 / 380

1 A

PBSS5230QA

30

2

180 /295

2 A

PBSS4160QA

60

1

150 / 240

2 A

PBSS5160QA

60

1

120 /185

2 A

PBSS5260QA

60

1.7

120 / 185

1 A

PBSS4260QA

60

2

150 / 240

1 A

产品特性和优势
  • 极低集电极-发射极饱和电压VCEsat
  • 高集电极电流能力IC和ICM
  • 高集电极电流增益hFE（高IC时）
  • 节省PCB板空间
  • 发热量更低、能效高
  • 侧面焊盘
  • 符合AEC-Q101标准
产品应用
  • 负载开关
  • 电池驱动设备
  • 电源管理
  • 充电电路
  • 电源开关（例如：马达、风扇）
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