该器件设计用于保护高速接口（如USB?2.0端口）免受静电放电(ESD)影响。

该器件采用了4个高级ESD保护二极管结构，用于高速信号线。它采用极小型SOT363?(SC-88)表面贴装设备(SMD)塑料封装。

特殊的二极管配置提供全部信号线保护，具有超低线路电容（最大值为0.85?pF）。该配置为接触放电电压高达±12?kV的下游器件提供ESD保护，符合IEC?61000-4-2第四级标准。

• 用于USB 2.0的系统ESD保护
• 所有信号线均集成轨到轨钳位二极管，提供±12 kV的下游器件ESD保护，符合IEC?61000-4-2第四级标准
• 各通道的线路电容为0.85?pF（最大值）

• 下列应用中的接收器和发射器端口保护：
  • 便携式设备
  • 电视机和显示器
  • DVD刻录机和播放器
  • 笔记本电脑、主板、显卡和端口
  • 机顶盒和游戏机

• PESD3V3L4UW - 低电容单向四倍ESD保护二极管阵列
• BLF2425M9L(S)30 - Power LDMOS transistor
• 74HCT109DB - 带设置和复位功能的双频JK触发器；正沿触发器
• PBSS4580PA - 80 V，5.6 A NPN低V_CEsat (BISS)晶体管
• PMEG4020EPK - 40 V、2 A低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• BLF8G24LS-100GV - 功率LDMOS晶体管
• PESD5V0F1BRLD - 毫微微法拉级(Femtofarad)双向ESD保护二极管
• BZT52H-B3V3 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• PDTB1xxxT series - 500 mA、50 V PNP配电阻晶体管
• PDTA123TU - PNP配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 开路