74AXP1G58是带施密特触发输入的可配置多功能门。该器件可配置为任何以下逻辑功能：AND、OR、NAND、NOR、反相器和缓冲器。所有输入都可直接连接到VCC或GND。该器件可确保整个0.7 V至2.75 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用而设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时潜在破坏性回流电流通过该器件。

• 0.7 V至2.75 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12A.01（宽范围：0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-12A.01（正常范围：1.1 V至1.3 V）
  • JESD8-11A.01（1.4 V至1.6 V）
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A.01（2.3 V至2.7 V）
• ESD保护：
  • HBM ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 2类超过2 kV
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.6 μA（85 °C最大 ）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达2.75 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C

• BUK7E4R6-60E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PDTB113EU - 500 mA、50 V PNP配电阻晶体管
• 74AUP3G04GM - 低功耗三路反相器
• 2PD601BRL; 2PD601BSL - 50 V，200 mA NPN通用晶体管
• BC847AMB - 45 V，100 mA NPN通用晶体管
• P5CD016UA - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• 74AHCT2G32DC - 双路2输入或门
• PESD5V0S4UD - 采用SOT457封装的四倍ESD保护二极管阵列
• 74AHC14BQ - 十六进制反相施密特触发器
• PTVS15VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器