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PHKD6N02LT - 双N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
PHKD6N02LT是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品，PHKD6N02LT是双N沟道TrenchMOS逻辑电平FET，本站介绍了PHKD6N02LT的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与PHKD6N02LT相关的NXP元器件型号供参考。
PHKD6N02LT - 双N沟道TrenchMOS逻辑电平FET - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
双逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)，采用塑料封装，使用TrenchMOS技术。该产品仅设计适用于计算、通信、消费电子和工业应用。
产品特性和优势
- 低导通电阻，因而导通损耗很小
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
产品应用
- 电池充电器
- DC-DC转换器
- 笔记本电脑
- 便携式设备
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