
- BZX84-A4V7 - 稳压器二极管
- NT3H1201W0FHK - NTAG I2C - Energy harvesting NFC Forum Type 2 Tag with field detection pin and I2C interface
- PEMD4 - NPN/PNP配电阻晶体管;R1 = 10 kOhm,R2 = 开路
- CBTL04082ABS - 支持PCI Express Gen2的3.3 V、4差分通道、2 : 1多路复用器/解复用器开关
- NVT2008PW - 适用于开漏和推挽应用的双向电压电平变换器
- PEMH16; PUMH16 - NPN/NPN配电阻晶体管;R1 = 22 kOhm,R2 = 47 kOhm
- PMBFJ110 - N沟道FET
- P5CC073 - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
- BUK9E06-55B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
- TDA8950J - 2 x 150 W D类功率放大器
- PTVS9V0P1UTP - 高温600 W瞬态电压抑制器
- PBSS4350SS - 50 V、2.7 A、NPN/NPN、低VCEsat (BISS)晶体管
- 74LVC1G66GM - 双向开关
- PEMB14; PUMB14 - PNP/PNP配电阻晶体管;R1 = 47 kOhm,R2 = 开路
- PEMB1 - PNP/PNP配电阻晶体管;R1 = 22 kΩ,R2 = 22 kΩ
- BLF6G15LS-40RN - 功率LDMOS晶体管
- PCA9560PW - 双路5位多路复用1位闭锁的I2C EEPROM DIP开关
- BFT46 - N沟道FET
- P5CC020XS - 安全接触式PKI智能卡控制器
- PSMN5R0-30YL - N沟道30 V 5 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装
- BZX84-C30 - 稳压器二极管
- 74AUP2G08GS - 低功耗双路2输入与门
- TDA8954 - 2 x 210 W D类功率放大器
- 74AUP2G04GW - 低功耗双路反相器
- PSMN013-100YSE - N沟道100 V 13 mΩ标准电平MOSFET,采用LFPAK56封装
- BZX84-A4V3 - 稳压器二极管
- 74AXP1G00GS - 低功耗2输入与非门
- PBLS4003Y; PBLS4003V - 40 V PNP BISS负载开关
- BLF573(S) - HF/VHF功率LDMOS晶体管
- CX24951-14Z - DOCSIS 2.0电缆调制解调器SoC
- 2PD601ARW - NPN通用晶体管;50 V,100 mA
- BC69PA - 20 V,2 A PNP中等功率晶体管
- PZU7.5B1A - 单倍齐纳二极管
- PCAL6416A - 带有中断输出、复位和配置寄存器的低电压变换16位I2C总线/SMBus I/O扩展器
- PBLS2022D - 20 V,1.8 A PNP BISS负载开关
- 74AUP2GU04GF - 低功耗双路非缓冲反相器
- 74AHC30PW - 8输入与非门
- GTL2002DC - 2位双向低电压变换器
- ASC8850AET - 高级1080p/35 fps (73 Mpx/s)高端H.264处理器
- PBSS5230T - 30 V,2 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
- BZV85-C39 - 稳压器二极管
- PTVS15VU1UPA - 300 W瞬态电压抑制器
- 74HC2G17GV - 双路非反相施密特触发器
- 74AUP1G57 - 低功耗可配置多功能门
- BZB784-C7V5 - 双倍稳压器二极管
- BZX384-B12 - 稳压器二极管
- 74LVC1G04GF - 单路反相器
- 74LVC2GU04 - 双路反相器
- BAT54W - 肖特基势垒二极管
- 74LVC1GX04GV - 晶体驱动器
- BC52-16PAS - 45 V/60 V/80 V, 1 A PNP medium power transistors
- BZX384-B36 - 稳压器二极管
- 74LVC1G07GF - 缓冲器,带开漏输出
- PCMF3DFN1 - 用于差分通道的共模EMI滤波器,带集成式ESD保护
- 74HC132PW - 四路2输入与非施密特触发器
- PBSS4130T - 30 V、1 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
- 74LVC2G32DC - 双路2输入或门
- BZV85-C24 - 稳压器二极管
- 74HC241PW - 八位元缓冲器/线路驱动器;3态
- PMBFJ309 - N沟道硅FET
- PESD3V3L5UV - 低电容单向五倍ESD保护二极管阵列
- TDF8546JS - I2C总线控制型4 x 45 W最佳效率放大器
- PEMB9; PUMB9 - PNP/PNP配电阻晶体管;R1 = 10 kΩ,R2 = 47 kΩ
- P5CD072EVD - 安全三接口、双接口和接触式PKI智能卡控制器
- PSMN4R0-30YLD - N沟道30 V,4.0 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56封装,使用NextPowerS3技术
- BZX84-C20 - 稳压器二极管
- 74HCT2G34GW - 双路缓冲器门
- NTB0101GS - 双电源转换收发器;自动方向感应;3态
- BLF2425M7L(S)250P - 功率LDMOS晶体管
- PEMB13 - PNP/PNP配电阻晶体管;R1 = 4.7 kΩ,R2 = 47 kΩ


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