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BUK9E06-55B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
BUK9E06-55B是NXP恩智浦公司的一款汽车MOSFET产品，BUK9E06-55B是N沟道TrenchMOS逻辑电平FET，本站介绍了BUK9E06-55B的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与BUK9E06-55B相关的NXP元器件型号供参考。
BUK9E06-55B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET - 汽车MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)，采用塑料封装，使用TrenchMOS技术。该产品设计符合相应AEC标准，适用于汽车电子关键型应用。
产品特性和优势
- 低导通电阻，因而导通损耗很小
- 符合Q101标准
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
- 额定温度为175 °C，适用于对热性能要求苛刻的环境
产品应用
- 12 V和24 V负载
- 汽车系统
- 通用电源开关
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