74HC2G17；74HCT2G17是高速硅栅CMOS器件。

74HC2G17；74HCT2G17提供两个非反相施密特触发缓冲器。该类器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入针对正向和负向信号在不同点进行切换。正电压VT+和负电压VT-之差定义为输入迟滞电压VH.

• 2.0 V至6.0 V的宽电源电压范围
• 符合JEDEC标准no. 7A
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114-D超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 低功耗
• 平衡传播延迟
• 无限输入上升和下降时间
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 适用于高噪声环境的波形和脉冲整形器
• 非稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• NTB0101GS - 双电源转换收发器；自动方向感应；3态
• PHP29N08T - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74CBTLVD3384PW - 10位电平转换总线开关，具有5位输出使能
• PDTD143EU - 500 mA、50 V PNP配电阻晶体管
• PCA9847PW - 8-channel ultra-low voltage, Fm+ I2C-bus multiplexer with reset
• HEF4069UBTT - 六频逆变器
• PZU4.7B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• 74HC3G07DP - 三路缓冲器，带开漏输出
• BSS84AKV - 50 V，170 mA双P沟道Trench MOSFET
• BZX84-B12 - 稳压器二极管