74AUP2G08提供双路2输入与功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BLM8G0710S-15PBG - LDMOS 2-stage power MMIC
• BLF8G20LS-200V - 功率LDMOS晶体管
• BSS64 - NPN高压晶体管
• PCA9626 - 24位Fm+ I2C总线100 mA 40 V LED驱动器
• PDTA144VU - PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 10 kOhm
• PDTA114YU - PNP配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 47 kΩ
• BUK7Y18-75B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74LVCV2G66 - 过压容限双向开关
• PMEG4010BEV - 1 A、极低VF MEGA肖特基势垒整流器，采用超小型SOT666和极小型SOD323 (SC-76)两种封装
• PQMB11 - PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1?=?10?k?,?R2?=?10?k?