逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，采用LFPAK56封装。NextPowerS3产品组合利用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技术，提供高频率低峰值性能，通常只有集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET才具有这种性能，并且没有令人烦恼的高漏电流问题。NextPowerS3特别适合于高开关频率下的高效应用。

• 超低QG、QGD和QOSS，可实现系统高效率，尤其是在开关频率较高时
• 带软恢复功能的超快速开关性能；s-factor > 1
• 针对低EMI设计的低峰值和振铃
• 特有的“SchottkyPlus”技术；类肖特基性能：漏电流<?1?μA（25?°C时）
• 最适合4.5?V栅极驱动
• 低寄生电感和电阻
• 高可靠性夹片粘合和芯片焊接Power SO8封装；无胶合、无焊线，额定工作温度为175?°C
• 波焊；外露引脚，可实现最佳焊点目测

• 适合服务器和电信的板载DC-DC解决方案
• 电信应用中的次级侧同步整流
• 电压调节器模块(VRM)
• 负载点(POL)模块
• 针对V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的功率输出
• 有刷与无刷马达控制

• PUSB3TB6 - 用于超高速接口的ESD保护
• PSMN6R5-80PS - N沟道80V 6.9m?标准电平MOSFET，采用TO220封装
• HEF40175B - 四路D型触发器
• BLL6H0514L(S)-130 - LDMOS驱动器晶体管
• PMP5501G - PNP/PNP匹配双晶体管
• PDTA124XT - PNP配电阻晶体管；R1 = 22 kOhm，R2 = 47 kOhm
• PHP18NQ10T - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74AHCT125BQ - 四路缓冲器/线路驱动器；3态
• 74HC157DB - 四路2输入多路复用器
• NT3H1201W0FHK - NTAG I2C - Energy harvesting NFC Forum Type 2 Tag with field detection pin and I2C interface