74LVC1G66是低功耗、低电压硅栅CMOS器件。

74LVC1G66提供一个单刀单掷模拟开关功能。该开关具有两个输入/输出终端（Y和Z）以及一个有源高电平使能输入引脚（E）。E为低电平时，模拟开关会被关断。

使能输入的施密特触发器动作使电路在1.65 V至5.5 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 极低导通电阻：
  • 7.5 Ω（典型值）（VCC = 2.7 V时）
  • 6.5 Ω（典型值）（VCC = 3.3 V时）
  • 6 Ω（典型值）（VCC = 5 V时）
• 32 mA的开关电流能力
• 高抗噪性
• CMOS低功耗
• 3.3 V时的TTL接口兼容性
• 锁存性能满足JESD78 I类的要求
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 使能输入可接受最高达5.5 V的电压
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C以及-40 °C至+125 °C

• 74LVC2245AD - 八进制收发器，具有方向针脚；30 ?串联端接电阻；5 V容压输入/输出；3态
• PBSS5130T - 30 V；1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• NX7002AKS - 60 V，双N沟道Trench MOSFET
• 74HC2G00GD - 双路2输入与非门
• BZX79-C5V1 - 稳压器二极管
• PEMH24; PUMH24 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 100 kOhm，R2 = 100 kOhm
• PHPT60406PY - 40 V、6A PNP高功率双极性晶体管
• PDTC143TU - NPN配电阻晶体管；R1 = 4.7 kOhm，R2 = 开路
• BUK7E13-60E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BZX84J-B3V3 - 单倍齐纳二极管