74LVC1GX04结合了74LVC1GU04和74LVC1G04的功能，可提供最适合晶体振荡器应用的器件。

74LVC1GX04集成了这两个器件，因此具有紧凑尺寸的优势。该器件提供宽频率和温度范围内的低功耗和稳定运行。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入和5 V过压容限掉电输出
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PCA9551D - 8位I2C总线LED驱动器，具有可编程闪烁速率
• BZV55-B18 - 稳压器二极管
• PSMN009-100P - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• SA58637BS - 2 x 2.2 W BTL音频放大器
• BUK962R6-40E - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• DFN1010_SERIES - 12 V - 80 V，P和N沟道Trench MOSFET，采用单、双和互补配置
• 74AUP2G240 - 低功耗双路反相缓冲器/线路驱动器；3态
• PMN34UP - 20 V，5 A P沟道Trench MOSFET
• 74LVC3G04GS - 三路反相器
• PDTC144VM - NPN配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 10 kOhm