74LVC1GX04结合了74LVC1GU04和74LVC1G04的功能，可提供最适合晶体振荡器应用的器件。

74LVC1GX04集成了这两个器件，因此具有紧凑尺寸的优势。该器件提供宽频率和温度范围内的低功耗和稳定运行。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入和5 V过压容限掉电输出
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AUP1G04GM - 低功耗反相器
• MF1S5030XDA8 - MIFARE Classic 1K - 适用于快速简单的解决方案开发的主流非接触式智能卡IC
• BLF7G27L(S)-100 - LDMOS功率晶体管
• 74AUP1T58GN - 低功耗可配置门，带电压电平转换器
• HTMS1x01; HTMS8x01 - HITAG μ (ISO14223)和(ISO11784/85)应答器IC
• PEMZ1 - NPN/PNP通用晶体管
• PBSS9110T - 100 V、1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• PTVS6V5S1UR - 400 W瞬态电压抑制器
• BUK7E2R3-40E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PMEG2005AEL - 0.5 A超低V_F MEGA肖特基势垒整流二极管，采用无引脚超小型SOD882封装