NXP(恩智浦)产品型号搜索：
- BLF647P - 宽带功率LDMOS晶体管
- PESD3V3X1BCSF - 超低电容双向ESD保护二极管
- PEMD48 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kΩ，R2 = 47 kΩ和R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ
- P5CD012XD - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
- BCX18 - PNP通用晶体管
- 74HCT240BQ - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态；反相
- 74ALVCH16823DL - 带复位和使能功能的18位总线接口D型触发器（三态）
- BZX79-B9V1 - 稳压器二极管
- BLF188XRG - 功率LDMOS晶体管
- 74LVC574A - 带5 V容压输入/输出的八频D型触发器；正沿触发器（三态）
- PCA9622DR - 16位Fm+ I2C总线100 mA 40 V LED驱动器
- BC857BW - PNP通用晶体管
- 74LVC06AD - 六位元反相器，带开漏输出
- BAS321 - 通用二极管
- BGA7124 - 400 MHz至2700 MHz 0.25 W高线性度硅放大器
- 74LVC10AD - 三路3输入与非门
- 74AVCH1T45 - 双电源电压电平转换器/收发器；3态
- BB170 - VHF变容二极管
- BC859BW - PNP通用晶体管
- MF0MOA4U10 - MIFARE Ultralight非接触式单程票IC
- SA58637BS - 2 x 2.2 W BTL音频放大器
- TDA8932BT - D 类音频放大器
- BUK7215-55A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
- PZU2.7BA - 单倍齐纳二极管
- PSMN085-150K - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
- 74AXP1G06GM - 带开漏输出的低功耗逆变器
- 74HC175PW - 四路D型触发器，带复位功能；正边沿触发
- BZT52H-B39 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
- 74LVC373AD - 八进制D型透明锁存器，具有5 V容压输入/输出；3态
- BUK758R3-40E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
- BC857M series - PNP通用晶体管
- BZT52H-B47 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
- 74HC40103PW - 8位同步二进制下行计数器
- BUK9509-40B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
- PCA9564D - 并行总线至I2C总线控制器
- 2PC4617QM - NPN通用晶体管
- BZX84J-C16 - 单倍齐纳二极管
- PMST5088 - NPN通用晶体管
- 74AHC(T)594 - 8位移位寄存器，带输出寄存器
- BLF6G20LS-140 - 功率LDMOS晶体管
- 74HC4075D - 三路3输入或门
- 74AUP2G79GD - 低功耗双频D型触发器；正沿触发器
- PHP79NQ08LT - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
- BF992 - N沟道双栅极MOSFET
- BZV55-C68 - 稳压器二极管
- 74HC193PW - 可预置同步4位二进制上行/下行计数器
- 74HCT154BQ - 4至16线路解码器/解复用器
- 74HCT10PW - 三路3输入与非门
- 74LVC2G38DC - 双路2输入与非门；开漏
- BLP8G27-10 - Power LDMOS transistor
- BZV55-B5V6 - 稳压器二极管
- PMV250EPEA - 40 V，P沟道Trench MOSFET
- PSMN2R9-25YLC - N沟道25 V 3.15 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
- PBSS2515YPN - 15 V低VCEsat NPN/PNP晶体管
- 74LVC2G06GS - 反相器，带开漏输出
- BZX84-B9V1 - 稳压器二极管
- BLL6H1214(LS)-500 - LDMOS L波段雷达功率晶体管
- 74HCT02DB - 四路2输入或非门
- 74VHC14D - 十六进制反相施密特触发器
- BLF8G22LS-240 - 功率LDMOS晶体管
- BZX84J-C56 - 单倍齐纳二极管
- BLA8G1011L(S)-300(G) - Power LDMOS transistor
- 74AHC2G00GD - 双路2输入与非门
- BAT160A - 双倍肖特基势垒二极管
- BUK766R0-60E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
- PBSS5350X - 50 V、3 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
- PTVS15VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
- PBSS2515MB - 15 V，0.5 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
- SC16C2550B - 5 V、3.3 V和2.5 V的双通道UART，5 Mbit/s（最快），带有16字节FIFO
- 74AUP1T34GW - 低功耗双电源转换缓冲器
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