
PSMN2R9-25YLC技术文档下载:
PSMN2R9-25YLC产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MPC860ENCZQ66D4 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- PDTA124EU,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
- PZU16B3,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
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- MPC8360ECZUAGDGA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MKE02Z16VLC4 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PCA9512DP,118 - 集成电路(IC) > 接口 > 信号缓冲器、中继器、分离器
- BFG310W/XR,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管



PSMN2R9-25YLC - N沟道25 V 3.15 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用NextPower技术
PSMN2R9-25YLC是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PSMN2R9-25YLC是N沟道25 V 3.15 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用NextPower技术,本站介绍了PSMN2R9-25YLC的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PSMN2R9-25YLC相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN2R9-25YLC - N沟道25 V 3.15 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用NextPower技术 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
逻辑电平增强型N沟道MOSFET,采用LFPAK封装。该产品设计适用于各种工业、通信及家用设备。
产品特性和优势
- 高可靠性Power SO8封装,额定温度为175°C
- 低寄生电感和电阻
- 采用NextPower超结技术,最适合4.5V栅极驱动
- 超低QG、QGD和QOSS,高/低负载时可实现系统高效率
产品应用
- DC-DC转换器
- 锂电池保护
- 负载开关
- 电源OR-ing
- 服务器电源
- 同步整流器
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