74AHC594；74AHCT594是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL (LSTTL针脚兼容。该类器件的规格符合JEDEC标准No. 7-A。

74AHC594；74AHCT594是8位非反相串行输入并行输出移位寄存器，可将数据馈入8位D型存储寄存器。移位和存储寄存器上都提供单独时钟（SHCP和STCP）和直接覆盖清零（SHR和STR）。提供串行输出(Q7S)是为了级联。

移位和存储寄存器时钟都为正沿触发。如果用户希望将两个时钟连在一起，则移位寄存器将总是比存储寄存器超前一个计数脉冲。

• 平衡传播延迟
• 所有输入都具有施密特触发动作
• 输入接受高于VCC的电压
• 2.0 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 8位串联输入、并联输出移位寄存器，带存储功能
• 移位和存储寄存器上独立的直接覆盖清零
• 用于移位和存储寄存器的独立时钟
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78 II类标准
• 输入电平：
  • 对于74AHC594：CMOS电平
  • 对于74AHCT594：TTL电平
• ESD保护：
  • HBM EIA/JESD22-A114E超过2000 V
  • MM EIA/JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM EIA/JESD22-C101C超过1000 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 串行到并行数据转换
• 遥控保持寄存器

• BC52-16PAS - 45 V/60 V/80 V, 1 A PNP medium power transistors
• 74AXP1G14GX - 低功耗施密特触发反相器
• 74ALVC04 - 六位元进制反相器
• 74HC2G02DP - 双路2输入或非门
• PSMN2R5-60PL - N沟道60 V，2.6 m?逻辑电平MOSFET，采用SOT78封装
• BAT854W series - 双倍肖特基势垒二极管
• PTVS7V5S1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
• PEMD15; PUMD15 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 4.7 kΩ
• PUMH30 - NPN/NPN配电阻双晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 开路
• PMV33UPE - 20 V，单P沟道Trench MOSFET