74AXP1G06是带开漏输出的单路逆变器。

输入的施密特触发器动作使电路容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

该器件可确保0.7 V至2.75 V的整个VCC范围内的极低静态和动态功耗。它完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成潜在损坏。

• 0.7 V至2.75 V的宽电源电压范围
• 低输入电容；CI = 0.5 pF（典型值）
• 低输出电容；CO = 0.7 pF（典型值）
• 低动态功耗；VCC = 1.2 V时CPD = 1.0 pF（典型值）
• 低静态功耗；ICC = 0.6 μA（最大85 °C）
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12A.01（1.1 V至1.3 V）
  • JESD8-11A.01（1.4 V至1.6 V）
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A.01（2.3 V至2.7 V）
• ESD保护：
  • HBM ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 2类超过2 kV
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入可接受最高达2.75 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C

• PSMN070-200B - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• BAT54 series - 肖特基势垒二极管
• 74LVC240APW - 八位元缓冲器/线路驱动器，带5 V容压输入/输出；反相；3态
• PBSS4130T - 30 V、1 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• PTVS48VP1UTP - 高温600 W瞬态电压抑制器
• NPIC6C595BQ - 功率逻辑8位移位寄存器；开漏输出
• NZX3V0B - 单倍齐纳二极管
• PBSS5220V - 20 V、2 A PNP低V_CEsat (BISS)晶体管
• BGS8H2 - SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE
• TDF8541 - I2C总线控制型4 x 45 W功率放大器