
BLP8G27-10技术文档下载:
BLP8G27-10产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MCXW716AMFPAT - 射频和无线 > 射频收发器 IC
- MPXV4006GC6T1 - 压力传感器、变送器
- MCX-N5XX-EVK - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 嵌入式 MCU、DSP 评估板
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- MPC857DSLZQ50B - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- 74HCT238D,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 信号开关,多路复用器,解码器
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- LPC2460FET208,551 - 嵌入式 - 微控制器
- TFA9810T/N1,112 - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 音频放大器
- 74LVT74DB,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器
- MRF8S21140HSR5 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- LS1043AXE7MQB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MKM14Z128ACHH5 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



BLP8G27-10 - Power LDMOS transistor
BLP8G27-10是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLP8G27-10是Power LDMOS transistor,本站介绍了BLP8G27-10的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLP8G27-10相关的NXP元器件型号供参考。
BLP8G27-10 - Power LDMOS transistor - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
10 W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700MHz to 2700 MHz.
产品特性和优势
- High efficiency
- Excellent ruggedness
- Designed for broadband operation
- Excellent thermal stability
- High power gain
- Integrated ESD protection
- Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances(RoHS)
产品应用
- CDMA
- W-CDMA
- GSM EDGE
- MC-GSM
- LTE
- WiMAX
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