
BLP8G27-10技术文档下载:
BLP8G27-10产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
- SPC5566MZP112R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- BAP51-06W,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 射频
- 74ALVC02D,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- LPC11A12FHN33/101 - 嵌入式 - 微控制器
- BZX79-C6V2,113 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- MC9S08QE64CLD - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- LX2162RE82029B - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MPX4250AP - 压力传感器、变送器
- MC908AP64ACFAE - 嵌入式 - 微控制器
- S9S12GN16F1VLC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- HTMS8001FTB/AF,115 - 射频和无线 > RFID 应答器、标签
- MC56F82746MLF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74HC86PW,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- LS1017ASE7HNA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- PDTA114ES,126 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
- BGA7350,515 - 射频和无线 > 射频放大器
- MCIMX31LCVKN5C - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MC68HC908LJ24CFQ - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- S9S12GN32F0CFTR - 嵌入式 - 微控制器
- MRF5S9150HSR5 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET



BLP8G27-10 - Power LDMOS transistor
BLP8G27-10是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLP8G27-10是Power LDMOS transistor,本站介绍了BLP8G27-10的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLP8G27-10相关的NXP元器件型号供参考。
BLP8G27-10 - Power LDMOS transistor - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
10 W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700MHz to 2700 MHz.
产品特性和优势
- High efficiency
- Excellent ruggedness
- Designed for broadband operation
- Excellent thermal stability
- High power gain
- Integrated ESD protection
- Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances(RoHS)
产品应用
- CDMA
- W-CDMA
- GSM EDGE
- MC-GSM
- LTE
- WiMAX
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