
BUK766R0-60E技术文档下载:
BUK766R0-60E产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- BGA2869,115 - 射频和无线 > 射频放大器
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- 74AHC1G04GW,125 - 未分类 > 未分类
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- 74AHC30PW,112 - 未分类 > 未分类
- PN7150B0HN/C11006E - 射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC
- SP5748CBK0AVKU2R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- BZX79-C30,113 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- BF420,112 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
- LX2120XN71826B - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- 74LVCH16245ADGG:11 - 未分类 > 未分类
- HEF4516BP,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 计数器,除法器
- 74LVC3G34DC,125 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- S9S12G96J0VLFR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- TDA7057AQ/N2,112 - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 音频放大器



BUK766R0-60E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
BUK766R0-60E是NXP恩智浦公司的一款汽车MOSFET产品,BUK766R0-60E是N沟道TrenchMOS标准电平FET,本站介绍了BUK766R0-60E的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BUK766R0-60E相关的NXP元器件型号供参考。
BUK766R0-60E - N沟道TrenchMOS标准电平FET - 汽车MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
标准电平N沟道MOSFET,采用SOT404封装,使用TrenchMOS技术。该产品设计符合AEC Q101标准,适用于高性能汽车电子应用。
产品特性和优势
- 符合AEC Q101汽车标准
- 重复雪崩耐受
- 额定温度为175 °C,适用于对热性能要求苛刻的环境
- 真正的标准电平栅极,175 °C时VGS(th)额定值大于1 V
产品应用
- 12 V汽车系统
- 马达、灯具和螺线管控制
- 微型混合动力起停应用
- 变速箱控制
- 超高性能电源开关
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