NXP(恩智浦)产品型号搜索：
- PCF7900VHN - 适合ISM频段且基于小数N分频锁相环的UHF发射器
- PTVS12VS1UR - 400 W瞬态电压抑制器
- BSR33 - 80 V，1 A PNP中等功率晶体管
- PCF8584T - I2C总线控制器
- BUK661R6-30C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
- 2PA1774RM - PNP通用晶体管
- BLF6G38-50 - WiMAX功率LDMOS晶体管
- BZX84J-B27 - 单倍齐纳二极管
- 74LVC74A - 带设置和复位功能的八频D型触发器；正沿触发器
- HEF4016B - 四路双向开关
- PDTB143XU - 500 mA、50 V PNP配电阻晶体管
- IP4253CZ12-6-TTL - 集成式4、6和8通道无源滤波器网络，带ESD保护
- 74VHC08PW - 四路2输入与门
- MMBT2222A - NPN开关晶体管
- 1N4728A to 1N4749A - 稳压器二极管
- PMEG045V050EPD - 45 V, 5 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier
- 74LVT245BQ - 3.3 V八进制收发器，具有方向针脚（3态）
- PZU14DB2 - 双倍齐纳二极管
- 74LV165 - 8位串行输入/并行输出移位寄存器
- BB175 - VHF变容二极管
- HEF4520BT - 双路二进制计数器
- TFF11096HN - 适合VSAT应用的低相位噪声本振发生器
- SL3S1014FUD - UCODE 7xm and UCODE 7xm+
- SSL21153T - 低成本不可调光LED驱动器IC
- PCA9505/06 - 带有RESET、OE和INT的40位I2C总线I/O端口
- BUK7Y53-100B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
- PCA9685PW - 16通道、12位PWM Fm+ I2C总线LED控制器
- BZB84-B47 - 双倍齐纳二极管
- MF0ICU2101DUD - MIFARE Ultralight C - Contactless ticket IC
- CBT16211 - 24位总线开关，具有12位输出使能
- BZB84-C5V1 - 双倍齐纳二极管
- 74LVT16374ADGG - 3.3 V 16位边沿触发D型触发器（三态）
- BUK9Y4R4-40E - N沟道40 V，4.4 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装
- 74AUP1G11GS - 低功耗3输入与门
- PEMIxQFN; PEMI2STD family - 集成式1、2、4、6和8通道无源滤波器网络，带ESD保护
- 74HC(T)2G86 - 双路2输入异或门
- SC16IS762IBS - 带有I2C总线/SPI接口、64字节发送和接收FIFO以及IrDA SIR内置式支持的双通道UART
- PZU3.6B2L - 单倍齐纳二极管
- 74AUP1G57GN - 低功耗可配置多功能门
- 74HCT1G86GW - 2输入异或门
- MF1S7031XDUF - MIFARE Classic 4K - 适用于快速简单的解决方案开发的主流非接触式智能卡IC
- PBSS5160V - 60 V、1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
- GTL2003 - 8位双向低电压变换器
- 74LVT2245PW - 3.3 V八进制收发器，具有30 Ohm端接电阻；3态
- PMEG4005AESF - 40 V, 0.5 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier
- BLF6G27LS-40PG - LDMOS功率晶体管
- P5CD041 - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
- 74HCT132DB - 四路2输入与非施密特触发器
- BLA8G1011L-300G - Power LDMOS transistor
- PESD5V0S1UJ - 用于瞬态电压抑制的单向ESD保护
- 74AUP3G16 - Low-power triple buffer
- HEF4541BT - 可编程定时器
- 74AHC2G08GD - 双路2输入与门
- TDA8547TS - 具有输出通道切换的2 × 0.7 W BTL音频放大器
- BUK6228-55C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
- PHK31NQ03LT - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
- PZU15BA - 单倍齐纳二极管
- 74AHCT1G17GM - 单频施密特触发缓冲器
- UBA2017T - HF-TL控制器IC
- 74AHC1G66GV - 单刀单掷模拟开关
- PDTA144VT - PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 10 kOhm
- 74LVC2G16GW - Dual buffer gate
- PSMN7R5-30MLD - N沟道30 V，7.5 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK33封装，使用NextPowerS3技术
- PBSS4041NX - 60 V，6.2 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
- PHB110NQ08T - N沟道TrenchMOS标准电平FET
- PMEG6030EVP - 高温60 V、3 A肖特基势垒整流二极管
- BZV90-C2V7 - 稳压器二极管
- PMZB600UNE - 20 V，N沟道Trench MOSFET
- PSMN3R4-30BLE - N沟道30 V 3.4 m?逻辑电平MOSFET，采用D2PAK封装
- PTVS60VP1UP - 600 W瞬态电压抑制器
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