逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，采用LFPAK33封装。NextPowerS3产品组合利用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技术，提供高频率低峰值性能，通常只有集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET才具有这种性能，并且没有令人烦恼的高漏电流问题。NextPowerS3特别适合于高开关频率下的高效应用。

• 超低QG、QGD和QOSS，可实现系统高效率，尤其是在开关频率较高时
• 带软恢复功能的超快速开关性能；s-factor > 1
• 针对低EMI设计的低峰值和振铃
• 特有的“SchottkyPlus”技术；类肖特基性能：漏电流<1?μA（25?°C时）
• 最适合4.5 V栅极驱动
• 低寄生电感和电阻
• 高可靠性夹片粘合和芯片焊接Mini Power SO8封装；无胶合、无焊线，额定工作温度为175?°C
• 外露引脚，可实现最佳焊点目测

• 适合服务器和电信的板载DC-DC解决方案
• 电信应用中的次级侧同步整流
• 电压调节器模块(VRM)
• 负载点(POL)模块
• 针对V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的功率输出
• 有刷与无刷马达控制

• PESD5V0U1UB - 超低电容单向ESD保护二极管
• TDA8029HL - 低功耗单卡读卡器
• XC7SH04 - 反相器
• 74HCT4053D - 三路2通道模拟多路复用器/解复用器
• 74LVC08A - 四路2输入与门
• NX3L2G384GT - 双低电阻单刀单掷模拟开关
• 74LVC1G34GF - 单路缓冲器
• PZU12B3 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• 74AUP1T58GF - 低功耗可配置门，带电压电平转换器
• PBHV8115Z - 150 V，1 A NPN高压低VCEsat (BISS)晶体管