射型收发器逻辑 - 收发器电压钳位(GTL-TVC)提供低通态电阻和最小传输延迟的高速电压变换。GTL2003提供八个带有共栅(GREF)的NMOS传输晶体管（Sn和Dn）和一个参考晶体管（SREF和DREF）。该器件允许0.8 V和5.0 V之间的双向电压变换而无需使用方向引脚。当正确设置偏压时，可实现低于0.8 V的电压变换。有关更多信息，请参见应用注意事项AN11127。

当Sn或Dn端口为低电平时，钳位处于通态且Sn和Dn端口之间存在低电阻连接。假设Dn端口上为更高的电压，当Dn端口为高电平时，Sn端口上的电压限制为参考晶体管(SREF)设置的电压。当Sn端口为高电平时，上拉电阻会将Dn端口上拉至VDD1。此功能允许在用户选择的更高和更低电压之间进行无缝变换，而无需方向控制。

所有晶体管具有相同的电特性，输出间的电压或传输延迟具有最小的偏差。由于晶体管是对称制造的，所以这有利于分离式晶体管电压变换解决方案。因为器件中的所有晶体管完全相同，所以可在任何其他八个匹配Sn/Dn晶体管上寻找SREF和DREF，允许更方便的电路板布局。变换器的晶体管为低电压器件提供极佳的ESD保护并同时保护低ESD抗性器件。

• 8位双向低电压变换器
• 允许0.8 V、0.9 V、1.0 V、1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V、3.3 V和5 V总线（允许直接连接GTL、GTL+、LVTTL/TTL和5 V CMOS电平）之间的电压电平变换
• 提供双向电压变换，无方向引脚
• 输入和输出引脚(Sn/Dn)之间有低6.5 Ω导通状态阻抗(Ron)
• 支持热插入
• 无需电源：不会闭锁
• 5 V耐受输入
• 低待机电流
• 直通引出线便于印刷电路板走线排布
• ESD保护：按JESD22-A114超过2000 V HBM，按JESD22-C101超过1000 V CDM
• 提供封装：TSSOP20、DHVQFN20

• 需要双向或单向电压电平变换的任何应用（从0.8 V至5.0 V的任意电压到0.8 V至5.0 V之间的任意电压转换）
• 无方向引脚的开漏结构非常适合双向低电压（例如，0.8 V、0.9 V、1.0 V、1.2 V、1.5 V或1.8 V）处理器I2C总线端口变换至普通3.3 V和/或5.0 V I2C总线信号电平或GTL/GTL+变换至LVTTL/TTL信号电平。

• PZU13B1 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• TDA8023TT - 低功耗IC卡接口
• XC7SET32 - 2输入或门
• BFU530A - NPN宽带硅RF晶体管
• 74LV4053 - 三路2通道模拟多路复用器/解复用器
• 74HCT3G07GD - 三路缓冲器，带开漏输出
• BUK762R0-40E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74AHCT1G17GV - 单频施密特触发缓冲器
• 74LVC2G66GM - 双向开关
• BLF8G20LS-140V - Power LDMOS transistor