74AUP1G11提供一个低功耗、低电压的单路3输入与门。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• NCX8200UK - Audio jack configuration switch matrix
• BZX84J-C11 - 单倍齐纳二极管
• PZU13B2 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PTVS8V5P1UP - 600 W瞬态电压抑制器
• BGA2012 - 1900 MHz高线性度低噪声放大器
• CBTD16210DGG - 20位电平转换总线开关，具有10位输出使能
• BUK9615-100E - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• BLL6H0514L(S)-130 - LDMOS驱动器晶体管
• PSMN017-80BS - N沟道80 V 17 m?标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
• PESD5V0X1BCSF - 超低电容双向ESD保护二极管