74AUP1G11提供一个低功耗、低电压的单路3输入与门。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BUK9Y6R0-60E - N-channel 60 V, 6.0 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56
• 74LVT240PW - ABT八进制反相缓冲器（3态）
• PESDxS2UAT series - 采用SOT23封装的双ESD保护二极管
• 74LVC1G08GN - 单路2输入与门
• BZB84 series - 双倍齐纳二极管
• PSMN4R0-60YS - N-channel LFPAK 60 V, 4.0 mΩ standard level FET
• PZU2.7B1A - 单倍齐纳二极管
• PSMN4R3-100ES - N沟道100 V 4.3 mΩ标准电平MOSFET，采用I2PAK封装
• PBSS4140T - 40 V、1 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• 74LVC2G07GX - Buffers with open-drain outputs