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  • PTVS12VP1UTP - 高温600 W瞬态电压抑制器
  • PHB29N08T - N沟道TrenchMOS标准电平FET
  • BZV90-C3V6 - 稳压器二极管
  • 74LVC1G332 - 单路3输入或门
  • 74AUP1T57GM - 低功耗可配置门，带电压电平转换器
  • 74AUP1G86GW - 低功耗2输入异或门
  • PCA9552 - 16位I2C总线LED驱动器，具有可编程闪烁速率
  • 74HC112DB - 带设置和复位功能的双频JK触发器；负沿触发器
  • PZU8.2B3 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
  • HEF4104BT - 四路低压至高压转换器，具有3态输出
  • TEF6613T - 低中频、免校准模拟汽车无线电调谐器IC
  • PDTA123TU - PNP配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 开路
  • PCF85103C-2T - 带有I2C总线接口的256 x 8位CMOS EEPROM
  • BAV74 - 两个高速二极管
  • TDA18275HN - 用于地面和有线电视接收的混合（模拟和数字）硅调谐器
  • PBSS303PD - 60 V、3 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
  • SE97BTP - DDR存储器模块温度传感器，集成SPD
  • 74AUP1G00GF - 低功耗2输入与非门
  • 74AUP2G86 - 低功耗双路2输入异或门
  • PZU3.0B1A - 单倍齐纳二极管
  • 2PC4081 - NPN通用晶体管
  • 74LVCH16244AEV - 16位缓冲器/线路驱动器；5 V输入/输出容压；3态
  • 74AUP1G79 - 低功耗D型触发器；正沿触发器
  • 74LVC2T45GS - 双电源转换收发器；3态
  • PUMD3 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1?=?10?kΩ，?R2?=?10?kΩ
  • SSL523x - 紧凑型高功率因素可调光LED驱动器IC (v1)
  • 74LVCH16374ADL - 16位边沿触发D型触发器；5 V容压（三态）
  • BCW32 - NPN通用晶体管
  • CBT3253 - Dual 1-of-4 FET multiplexer/demultiplexer
  • BUK9209-40B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
  • 74AUP1G132GF - 低功耗2输入与非门施密特触发器
  • 74AUP1G58GN - 低功耗可配置多功能门
  • PZU3.6BL - 单倍齐纳二极管
  • NVT4555UK - SIM card interface level translator and supply voltage LDO
  • 74AUP1T98 - 低功耗可配置门，带电压电平转换器
  • BZX384 - 稳压器二极管
  • BZB784-C5V1 - 双倍稳压器二极管
  • BZX384-C20 - 稳压器二极管
  • PMEG4020EPA - 2 A低V_F MEGA肖特基势垒整流二极管
  • 74AUP1Z04GN - 低功耗晶体驱动器，带使能和内部晶体管
  • 2PA1576R - PNP通用晶体管
  • 74LVC1G32 - 单路2输入或门
  • 74ABT126D - 四路缓冲器；3态
  • BZX384-C30 - 稳压器二极管
  • PBSS4160DS - 60 V、1 A NPN/PNP低VCEsat (BISS)晶体管
  • 74AUP1G34GF - 低功耗缓冲器
  • PMEG6010AED - 低VF (MEGA)肖特基势垒整流二极管
  • PUMB24 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 100 kOhm，R2 = 100 kOhm
  • PZU5.1B2L - 单倍齐纳二极管
  • BZX884-B27 - 稳压器二极管
  • PTN3381BBS - 带有电压调节器、加密狗检测支持和主动DDC缓冲器的性能增强型HDMI/DVI电平切换器
  • 74AXP2G17GN - Low-power dual Schmitt trigger
  • P82B96 - 双路双向总线缓冲器
  • 74HC3G16DC - 三路缓冲器门
  • X3G-OH047 - 磁阻传感器
  • BUK7K18-40E - 双N沟道40 V，19 m?标准电平MOSFET
  • PZU4.3B2 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
  • PLVA6xxA series - 低压雪崩稳压器二极管
  • UBA2211AT - 用于CFL的不可调光驱动器IC
  • MMBZ18VCL - 用于瞬态过压抑制的双ESD保护二极管
  • BUK7Y102-100B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
  • 74HCT574PW - 八频D型触发器；正沿触发器（三态）
  • PEMD9; PUMD9 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 47 kΩ
  • 74AHC1G14GV - 反相施密特触发器
  • BC849; BC850 - NPN通用晶体管
  • NTB0101GW - 双电源转换收发器；自动方向感应；3态
  • PUMH7 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 4.7 kOhm，R2 = 开路
  • 74AHC1G02GV - 2输入或非门
  • TEA1721BT - 适用于5 W应用、集成功率MOSFET通过高压启动的反激控制器，f~burst = 905 Hz
  • PMBT3904 - NPN开关晶体管
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