
BLS6G2735L-30技术文档下载:
BLS6G2735L-30产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MMRF1317H-1030 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- S9S12GN32AVFT - 嵌入式 - 微控制器
- A3G18H500-04SR3 - 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- PN7220EV/C100K - 射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC
- MC10XS3535PNA - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
- MCF51AG96CLH - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MK66FN2M0VLQ18 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC9S08PB8VTG - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MRF1K50H-TF3 - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 射频评估和开发套件,板



BLS6G2735L-30 - S波段LDMOS晶体管
BLS6G2735L-30是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLS6G2735L-30是S波段LDMOS晶体管,本站介绍了BLS6G2735L-30的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLS6G2735L-30相关的NXP元器件型号供参考。
BLS6G2735L-30 - S波段LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
30 W LDMOS功率晶体管,适用于2.7 GHz至3.5 GHz范围的S波段雷达应用。
产品特性和优势
- 集成ESD保护
- 极佳的强度
- 高效率
- 极佳的热稳定性
- 主要用于宽带操作(2.7 GHz至3.5 GHz)
- 内部匹配以方便使用
- 符合有害物质限制的Directive 2002/95/EC
产品应用
- 2.7 GHz至3.5 GHz频率范围内的S波段雷达应用
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