
BLS6G2735L-30技术文档下载:
BLS6G2735L-30产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- GTL16612DGG,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 通用总线功能
- MCIMX280CVM4B - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
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- MPC5775BE-416DS - 评估板 - 嵌入式 - MCU,DSP
- PHP20NQ20T,127 - 未分类 > 未分类
- P4081NSN7KKC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- LPC54606J256ET180E - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MIMX8DL1CVNFZBA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
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- MHL19338N - 射频和无线 > 射频放大器
- MC9S08AC128CFUE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC9SDG128ECPV-FR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- MIMXRT106SCVL5B - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PCAL9538ABS,128 - 集成电路(IC) > 接口 > I/O 扩展器
- 74LV365DB,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器



BLS6G2735L-30 - S波段LDMOS晶体管
BLS6G2735L-30是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLS6G2735L-30是S波段LDMOS晶体管,本站介绍了BLS6G2735L-30的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLS6G2735L-30相关的NXP元器件型号供参考。
BLS6G2735L-30 - S波段LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
30 W LDMOS功率晶体管,适用于2.7 GHz至3.5 GHz范围的S波段雷达应用。
产品特性和优势
- 集成ESD保护
- 极佳的强度
- 高效率
- 极佳的热稳定性
- 主要用于宽带操作(2.7 GHz至3.5 GHz)
- 内部匹配以方便使用
- 符合有害物质限制的Directive 2002/95/EC
产品应用
- 2.7 GHz至3.5 GHz频率范围内的S波段雷达应用
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