低电容双向静电放电(ESD)保护二极管设计用于保护单条信号线，使其免受ESD和其他瞬态电压导致的损坏。

该器件采用超小型无引脚SOD882D表面贴装设备(SMD)塑料封装，具有可见且可焊的侧焊盘。

• 单条线路的双向ESD保护
• 高达30 kV的ESD保护
• 超小型SMD塑料封装
• IEC 61000-4-2四级(ESD)
• 可焊侧焊盘
• IEC 61000-4-5（浪涌）；IPP = 12 A
• 封装高度典型值：0.37 mm
• 最大峰值脉冲功率：PPP = 130W
• 低钳位电压：VCL = 14 V
• 超低漏电流：IRM = 5 nA
• 符合AEC-Q101标准

• 计算机和外设
• 通信系统
• 音频和视频设备
• 便携式电子设备
• 手机和附件

• PBSS5160PAP - 60 V，1 A PNP/PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• HEF4528BT - 双单稳态多谐振荡器
• BUK7219-55A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PZU12B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• BUK7Y7R8-80E - N-channel 80 V, 7.8 mΩ standard level MOSFET in LFPAK56
• BLF6G15L(S)-500H - 功率LDMOS晶体管
• BLM6G22-30(G) - W-CDMA 2100 MHz至2200 MHz功率MMIC
• PBSS5160DS - 60 V，1 A PNP/PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• 74AUP3G0434GM - 低功耗双路反相器和单路缓冲器
• PCA9555BS - 带有中断的16位I2C总线和SMBus I/O端口