74AUP2G00提供双路2输入与非功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• 74LVC1G06GV - 反相器，带开漏输出
• BZX79-C10 - 稳压器二极管
• PBSS303NZ - 30 V、5.5 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• 74ABT244PW - 八位元缓冲器/线路驱动器（3态）
• 74LVC1G38GN - 2输入与非门；开漏
• PCA9535D - 带有中断的16位I2C总线和SMBus、低功率I/O端口
• SC16C654BIB64 - 5 V、3.3 V和2.5 V的四通道UART，5 Mbit/s（最快），带有64字节FIFO以及红外(IrDA)编码器/解码器
• PHP9NQ20T - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BLF8G10LS-270 - 功率LDMOS晶体管
• 74LVC02A - 四路2输入或非门