74LVC2G86提供双路2输入异或门。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将这些器件用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PSMN2R4-30YLD - N沟道30 V，2.4 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPowerS3技术
• SAA1305T - 开/关逻辑IC
• PSMN005-75B - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• 74HC4851D - 8通道模拟多路复用器/解复用器，具有注流效应控制功能
• PBSS9110X - 100 V、1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• PUSBM15VX4-TL - 高速USB OTG ESD保护二极管阵列
• XC7SET14GV - 反相施密特触发器
• PZU22BA - 单倍齐纳二极管
• BCX53-10 - 80 V，1 A PNP中等功率晶体管
• BLS6G3135(S)-20 - LDMOS S波段雷达功率晶体管