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PBSS303PD产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MRF7S21210HR3 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- PHM21NQ15T,518 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- TDA1562SD/N3C,112 - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 音频放大器
- 74LVC273BQ,115 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器
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- TDF8541J/N3,112 - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 音频放大器
- FS32K148HAT0MLUR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



PBSS303PD - 60 V、3 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
PBSS303PD是NXP恩智浦公司的一款低压低VCEsat (BISS)晶体管产品,PBSS303PD是60 V、3 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管,本站介绍了PBSS303PD的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PBSS303PD相关的NXP元器件型号供参考。
PBSS303PD - 60 V、3 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管 - 低压低VCEsat (BISS)晶体管 - 低VCEsat(BISS)晶体管 - 恩智浦
产品描述
PNP低VCEsat突破性小信号(BISS)晶体管,采用SOT457 (SC-74)小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。
NPN补充:PBSS303ND。
产品特性和优势
- 低集电极-发射极饱和电压VCEsat
- 高集电极电流能力:IC和ICM
- 高集电极电流增益:hFE(高IC时)
- 发热量更低、能效更高
- 与传统晶体管相比,所需的印刷电路板(PCB)面积更少
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- 高压DC-DC转换
- 高压MOSFET栅极驱动
- 高压电机控制
- 高压电源开关(如电机、风扇)
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