74AUP3G04提供一个低功耗、低电压的三路反相缓冲器。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PBSS303NZ - 30 V、5.5 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• BLF6G15L-40BRN - 功率LDMOS晶体管
• 74HCT241PW - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• PBSS4041PZ - 60 V，5.7 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• SA636BS - 低压高性能混频器FM IF系统，具有高速RSSI
• NTAG203F - NFC Forum类型2标签兼容型IC，集成144字节用户存储器和现场检测
• BLF6G13L-250P - 功率LDMOS晶体管
• PESD3V3L1UL - 低电容单向ESD保护二极管
• PTN36241GHX - SuperSpeed USB 3.0 redriver
• BC817 - 45 V，500 mA NPN通用晶体管