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74HCT3G06GD产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MPC850DEZQ50BU - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- PZM12NB,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- PCA9541APW/03,118 - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
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- MCZ33905BS3EKR2 - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
- LPC5536JBD64MP - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 2PB1219AS,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管



74HCT3G06GD - 三路反相器,带开漏输出
74HCT3G06GD是NXP恩智浦公司的一款缓冲器/驱动器产品,74HCT3G06GD是三路反相器,带开漏输出,本站介绍了74HCT3G06GD的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与74HCT3G06GD相关的NXP元器件型号供参考。
74HCT3G06GD - 三路反相器,带开漏输出 - 缓冲器/驱动器 - 逻辑 - 恩智浦
产品描述
74HC3G06和74HCT3G06是高速硅栅CMOS器件。它们提供三个带开漏输出的反相缓冲器。
74HC3G06和74HCT3G06器件的输出为开漏且可以连接到其它开漏输出以实施低电平有效有线OR或高电平有效有线AND功能。对于数字操作,该器件必须具有一个上拉电阻以建立一个逻辑高电平。
HC器件具有CMOS输入切换电平和2 V至6 V的电源电压范围。
HCT器件具有TTL输入切换电平和4.5 V至5.5 V的电源电压范围。
产品特性和优势
- 2.0 V至6.0 V的宽电源电压范围
- 高抗噪性
- 低功耗
- 多种封装选择
- ESD保护:
- HBM JESD22-A114E超过2000 V
- MM JESD22-A115-A超过200 V
- 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
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