IP4256CZ3-M是单通道低通滤波器，而IP4256CZ5-W和IP4256CZ6-F是双通道RC低通滤波器。所有器件均提供高电平静电放电(ESD)保护。

这些器件设计用于防止各种便携式通信发射器应用中的无用RF信号。这些器件集成有二极管，保护下游元件免受接触放电电压高达±25 kV的静电放电(ESD)损坏，远高于IEC 61000-4-2第四级标准。

这些器件利用单芯片硅技术制造，采用无铅塑料封装。

• 符合危险物质使用限制(RoHS)标准的无铅封装，无卤/无锑（符合“深绿”标准）
• 0 V偏置电压(DC)时，100 ?串联通道电阻和30 pF通道电容
• 提供ESD保护，最大接触放电电压±25 kV，远高于IEC 61000-4-2第四级标准
• 单和双通道集成式n型RC滤波器网络
• IP4256CZ3-M：采用3针脚方形扁平无引脚封装(QFN)兼容MicroPak塑料封装的单通道器件
• IP4256CZ5-W：采用5针脚塑料封装的双通道器件，间距0.5 mm
• IP4256CZ6-F：采用6针脚QFN兼容MicroPak塑料封装的双通道器件，间距0.5 mm

• 为下列应用提供通用电磁干扰(EMI)、射频干扰(RFI)滤波以及下游器件的ESD保护：
  • 移动电话和个人通信系统(PCS)手机
  • 无绳电话
  • 无线数据(WAN/LAN)系统

• TEA1721AT - 适用于5 W应用、集成功率MOSFET通过高压启动的反激控制器，f~burst = 430 Hz
• 74AHC1GU04 - 反相器
• 74AUP2G02GF - 低功耗双路2输入或非门
• 74AUP1G175 - 带复位功能的低功耗D型触发器；正沿触发器
• 74LVC04ADB - 六位元反相器
• PBSS3515MB - 15 V，0.5 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• BC859BW - PNP通用晶体管
• BLF174XR(S) - 功率LDMOS晶体管
• IP4254CZ16-8-TTL - 集成式4、6和8通道无源滤波器网络，带ESD保护
• BUK98150-55A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET