
BUK7K8R7-40E技术文档下载:
BUK7K8R7-40E产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MCF51AG96VLF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC32PF3000A3EPR2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- MCF5233CVM100 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- HEC40106BT,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
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- MC33PF3001A6ESR2 - 电源管理IC - 电源管理 - 专用型
- 74AHCT1G07GW,125 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MD7IC2250NR1 - 射频和无线 > 射频放大器
- MCZ33972AEW - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
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- MVF60NN152CMK50 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MC56F8023VLC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



BUK7K8R7-40E - 双N沟道40 V,8.5 m?标准电平MOSFET
BUK7K8R7-40E是NXP恩智浦公司的一款汽车MOSFET产品,BUK7K8R7-40E是双N沟道40 V,8.5 m?标准电平MOSFET,本站介绍了BUK7K8R7-40E的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BUK7K8R7-40E相关的NXP元器件型号供参考。
BUK7K8R7-40E - 双N沟道40 V,8.5 m?标准电平MOSFET - 汽车MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
双标准电平N沟道MOSFET,采用LFPAK56D(双Power-SO8)封装,使用TrenchMOS技术。该产品设计符合AEC?Q101标准,适用于高性能汽车电子应用。
产品特性和优势
- 双MOSFET
- 符合Q101标准
- 重复雪崩耐受
- 额定温度为175?°C,适用于对热性能要求苛刻的环境
- 真正的标准电平栅极,175 °C时VGS(th)额定值大于1?V
产品应用
- 12 V汽车系统
- 马达、灯具和螺线管控制
- 变速器控制
- 超高性能功率切换
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